硅膠真空鍍膜設(shè)備

工藝特點(diǎn)

（1）廣泛應(yīng)用于金屬涂層、陶瓷涂層、無(wú)機(jī)涂層材料等。

（2）在產(chǎn)量方面，從單件到大批量皆可。

（3）有質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)，沉積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。

（4）工具涂層的生產(chǎn)效率不如PVD，具體取決于特定技術(shù)要求和輔助工藝。

化學(xué)氣相沉積曾是真空技術(shù)廣泛用于陶瓷沉積的種技術(shù)，特別是對(duì)工具涂層更是這樣。

鍍膜機(jī)工藝在太陽(yáng)能運(yùn)用方面的運(yùn)用當(dāng)需求有用地運(yùn)用太陽(yáng)熱能時(shí)，就要思考選用對(duì)太陽(yáng)光線吸收較多、而對(duì)熱輻射等所導(dǎo)致的損耗較小的吸收面。太陽(yáng)光譜的峰值大約在波長(zhǎng)為2-20μm之間的紅外波段。

涂層技術(shù)

增強(qiáng)型磁控陰極?。宏帢O弧技術(shù)是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強(qiáng)型磁控陰極弧利用電磁場(chǎng)的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。

過濾陰極?。哼^濾陰極電弧(FCA)配有的電磁過濾系統(tǒng)，可將離子源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀粒子、離子團(tuán)過濾干凈，經(jīng)過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過濾掉大顆粒，因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng)。

采用化學(xué)氣相沉積處理時(shí)，應(yīng)注意以下問題：

（1）要考慮模具銳角部分的凸起變形

由于涂層與基體的線脹系數(shù)不同，模具棱角處容易產(chǎn)生應(yīng)力集中，基材會(huì)被擠出形成凸起。可以采取的解決方法是：將銳角處加工成圓弧狀，或是估計(jì)凸起變形量的大小，預(yù)先加工成錐形。

（2）CVD沉積溫度高而帶來(lái)的尺寸和形狀變形

其變形程度取決于所選用的材料、形狀、沉積溫度、涂層厚度以及預(yù)備熱處理等。

在CVD處理過程中，尺寸變形小的材料是硬質(zhì)合金及含Cr高的不銹鋼系合金；沖壓加工領(lǐng)域使用的模具材料主要限于合金工具鋼、冷作模具鋼（Cr12MoV）、硬質(zhì)合金等，其中快冷淬透鋼，由于快冷時(shí)容易產(chǎn)生翹曲、扭曲等變形，所以不宜進(jìn)行CVD處理；而高速鋼是熱處理膨脹較大的鋼種，使用時(shí)必須充分估計(jì)其膨脹變形量。