高溫下的碳化硅材料合成材料有包括碳化硅電極、碳化硅模具和碳化硅制品三種，這三種材料中的碳化硅在高溫下，碳化硅很容易發(fā)生氧化燃燒反應，造成材料表面膠碳層氣孔率增加和結構疏松，影響使用壽命。碳化硅電極因高溫電弧會發(fā)生部分升華氧化，會造成碳化硅制品的不斷消耗，甚至發(fā)生斷裂、破損。碳化硅是由硅與碳元素以共價鍵結合的非金屬碳化物，硬度僅次于金剛石和碳化硼。而碳化硅制品損耗率會達到40—60%。

碳化硅制品經過涂料浸漬涂刷處理后，其高溫ZS-1011碳化硅過度涂料液能滲入到碳化硅制品的氣孔中，排空碳化硅制品里殘留的空氣，在碳化硅制品氣孔及碳化硅制品表面形成一層保護膜。正是這層保護膜能有效的隔絕空氣直接與碳化硅制品接觸而發(fā)生氧化反應，不會在高溫巨變中開裂，脫落，從而能有效的延緩碳化硅制品的氧化，延長碳化硅制品的使用壽命。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。

碳化硅基功率開關由于具有較低的開啟態(tài)電阻，并且能應用于高壓、高溫、高頻場合，是硅基器件的理想替代者，如果使用碳化硅功率模塊，與使用硅功率電源裝置相比，由開關損失引起的功率損耗可降低5倍以上，對未來電網(wǎng)形態(tài)和能源戰(zhàn)略調整將產生重大影響，其體積與重量減小40%以上?，F(xiàn)已完成工業(yè)化出產的碳化硅纖維，是一種新式高強度、高模量資料，具有優(yōu)異的耐熱性和耐氧化性，與金屬、樹脂有杰出的相容性。

碳化硅功率器件針對太陽能逆變器、不間斷電源設備以及風能電機驅動器等大功率模組件的應用進行設計，以更小尺寸、更低物料成本以及更高的效率。碳化硅器件規(guī)模應用于固態(tài)斷路器、換流閥、有源濾波等已有裝備為實現(xiàn)智能電網(wǎng)、加速我國能源戰(zhàn)略轉型提供核心元器件及關鍵裝備等支撐。常用的碳化硅磨料有兩種不同的晶體，一種是綠碳化硅，含SiC97%以上，主要用于磨硬質含金工具。

而碳化硅的脫碳會造成鋼水中碳的含量增加改變鋼的組成，尤其在冶煉純凈鋼、超純凈鋼時，碳化硅的脫碳會對鋼水及鋼材質量產生較大的影響。碳化硅的脫碳機理為：當冶煉進行的一定程度后，鋼與碳化硅之間存在一定的液相隔離層。碳化硅可用做煉鋼的脫氧劑和鑄鐵組織的改良劑，是硅樹脂工業(yè)的主要原料。反應物在碳化硅表面形成一個固相產物層，碳化硅中的組成元素穿過該層擴散到鋼水中。

而鋼水中的一些元素和氧化物，主要是鋼渣中的(FeO)穿過耐火磚的反應層到達脫碳層反應界面，二者在相會處發(fā)生脫碳反應。轉爐和電爐在冶煉過程中，要向爐內進行吹氧脫碳。在應用在密封環(huán)上：碳化硅陶瓷的耐化學腐蝕性好、強度高、硬度高，耐磨性能好、摩擦系數(shù)小，且耐高溫，因而是制造密封環(huán)的理想材料。氧氣[O2]使熔池中的原子鐵[Fe]大量氧化成[FeO]，溶解于鋼水中的碳[C]與[FeO]接觸發(fā)生氧化反應.

碳化硅半導體能應對“極端環(huán)境”，據(jù)稱，碳化硅晶片甚至可以經受住金星或太陽附近的熱度。  前期的研究表明，即使在560攝氏度的高溫中，碳化硅晶片在沒有冷卻裝置的情況下仍能正常運作。

碳化硅晶片在通訊領域具有廣闊的運用前景，能讓高清晰電視提供更清晰的信號和圖像；也可以用在噴氣和汽車引擎中，監(jiān)測電機運轉。同時，它還可運用于太空探索領域，幫助核動力飛船執(zhí)行更繁雜的任務。  法國物理學家預言，在芯片制造領域，碳化硅取代硅已為時不遠。在電氣工業(yè)中，碳化硅可用做避雷器閥體、硅碳電熱元件、遠紅外線發(fā)生器等。