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發(fā)布時(shí)間:2021-07-28 18:54  
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編輯:DD



根據(jù)萬(wàn)用表示數(shù)分析,肖特基二極管測(cè)試結(jié)論如下(其中①②③為肖特基二極管自左而右的三只引腳編碼):
一,根據(jù)①-②、③-②間均可測(cè)出正向電阻,判定被測(cè)管為共陰對(duì)管,①、③腳為兩個(gè)陽(yáng)極,②腳為公共陰極。
二,因①-②、③-②之間的正向電阻只幾歐姆,而反向電阻為無(wú)窮大,故具有單向?qū)щ娦浴?
三,內(nèi)部?jī)芍恍ぬ鼗O管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V、0.33V,均低于手冊(cè)中給定的允許值VFM(0.55V)。



ASEMI肖特基二極管和普通快恢復(fù)二極管的區(qū)別?
肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱(chēng)作結(jié)整流管,而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管。 肖特基整流管僅用一種載流子(電子)輸送電荷,在勢(shì)壘外側(cè)無(wú)過(guò)剩少數(shù)載流子的積累,因此,不存在電荷儲(chǔ)存問(wèn)題(Qrr→0),使開(kāi)關(guān)特性獲得時(shí)顯改善。
Schottky Barrier Diode:肖特基勢(shì)壘二極管,簡(jiǎn)稱(chēng):SB,比如:SB107,SB1045CT……
Schottky Barrier Diode:也有簡(jiǎn)寫(xiě)為:SBD來(lái)命名產(chǎn)品型號(hào)前綴的。但SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
因此,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。




