電源模塊外殼溫升測試

測試外殼溫升可以用熱成像儀或是熱電偶測試，由于發(fā)射率對紅外熱成像儀測量的結(jié)果有影響，從而會導致測量結(jié)果存在一定的偏差，一般推薦用熱電偶測試。

如環(huán)境溫度Ta=25℃，實際用熱電偶測的電源模塊的外殼溫度Tc=50℃ ，那么模塊的溫升是△T=Tc - Ta=50 - 25=25℃。其中 Tc----殼溫，Ta----環(huán)境溫度，△T----溫升。

注意事項：不同模塊由于功率、外殼材質(zhì)、內(nèi)部設計等的不同，外殼溫度會有很大的差異。減小漏感：變壓器漏感在開關(guān)管開通是存儲能量是產(chǎn)生這個尖峰電壓的主要原因，減小漏感可以減小尖峰電壓。相同環(huán)境條件下，金屬外殼比塑料外殼散熱好，內(nèi)部元件的結(jié)溫更低，可靠性更好。對于密閉的使用環(huán)境，因無自然通風，建議將電源模塊與溫度敏感元器件盡量遠離或是隔離為兩個空間。

模塊電源常見問答

多路輸出，掉電順序要求

多路輸出產(chǎn)品，輔路電壓都是通過變壓器耦合得到的，其掉電順序跟負載的大小有一定關(guān)系，但一旦主路電壓降到 0后，輔路就不會有電壓輸出。

常見的噪聲抑制措施

針對 DC-DC 產(chǎn)品，20MHz 以內(nèi)的噪聲可以使用 LC 濾波或者是π型濾波來進行衰減，但是對于 100M或者 200M的噪聲，需要使用共模電感和電容的組合來進行濾波。

開關(guān)電源調(diào)試為何會出現(xiàn)IC溫度過高

IC溫度過高

原因及解決辦法：

1)內(nèi)部的MOSFET損耗太大：

開關(guān)損耗太大，變壓器的寄生電容太大，造成MOSFET的開通、關(guān)斷電流與Vds的交叉面積大。解決辦法：增加變壓器繞組的距離，以減小層間電容，如同繞組分多層繞制時，層間加入一層絕緣膠帶(層間絕緣)。

2)散熱不良：

IC的很大一部分熱量依靠引腳導到PCB及其上的銅箔，應盡量增加銅箔的面積并上更多的焊錫

3)IC周圍空氣溫度太高：

IC應處于空氣流動暢順的地方，應遠離零件溫度太高的零件。