對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的，就像氧氣在101kPa時會呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發(fā)揮性較高.預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質硅反應。

高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產(chǎn)品，是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒，在常溫常壓條件下化學性質穩(wěn)定，在密閉容器中遇高熱有危險，不溶于水，可溶于苯、等部分溶劑。四氟化碳是當前微電子工業(yè)中應用量高的等離子體蝕刻氣體，被廣泛應用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外，四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領域有著應用。由碳與氟反應，或與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，都能生成四氟化碳。

四氟化碳貯存注意事項：氣瓶不得靠近火源，不得受日光曝曬，與明火距離一般應該不小于10米，氣瓶不得撞擊。氣瓶的瓶子嚴禁沾染油脂。四氟化碳作為制冷劑是一種無色不可燃氣體，能夠保障液體運輸?shù)陌踩?。在臨床醫(yī)學中，四氟化碳還是一種高濃度的醉劑。由以上看出，四氟化碳的應用范圍廣泛，在下游電子產(chǎn)業(yè)等帶動下，行業(yè)快速發(fā)展。溫室氣體，其造成溫室效應的作用是二氧化碳的數(shù)千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定，而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。

隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質對芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術與產(chǎn)品質量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項：氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡，應該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場仍在不斷擴大，光伏發(fā)電累計裝機容量不斷上升，預計2020-2025年，我國高純四氟化碳市場需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長。