而在電路未啟動之前，由于高壓端啟動電阻的充電，可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動的電壓，一旦電路有問題一下啟動不了VCC由于繞組電壓的預設(shè)值偏低。電路也是不會啟動的，一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)?！駷楹我凑誌C的工作電壓低端取值？因為我們次級繞組是與初級繞組相鄰繞制的，耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗也是做次級的輸出短路，因為耦合效果好，次級短路時VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會快速降低，降到IC的關(guān)閉電壓時電路得到的保護。需要注意這個電壓需要高于MOSFET飽和導通1V以上，避免驅(qū)動不足。

10.電路調(diào)試，二極管并聯(lián)時,應該測試一顆二極管故障開路時, 產(chǎn)生的異常(包括TO-220 里的兩顆二極管)。理由：品質(zhì)提升 小公司一般都不會做這個動作的，一款的產(chǎn)品是要經(jīng)得起任何考驗的。 11.電路設(shè)計，如果PCB空間充裕，請設(shè)計成通殺所有安規(guī)標準。理由：減少PCB修改次數(shù)。 如果你某一產(chǎn)品是符合UL60335標準，哪天客戶希望滿足UL1310，這時你又得改PCB Layout拿去安規(guī)報備了，如果你畫的板符合各類標準，后面的工作會輕松很多。 12.電路設(shè)計，關(guān)于ESD請設(shè)計成接觸±8KV/空氣±15KV標準。理由：減少后續(xù)整改次數(shù)。


如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對應0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發(fā)一個驗證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試VCC波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護點。 小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風路。