如何執(zhí)行導通參數與漏電流的量測？

?測試條件中待輸入的數字，必須依照元件生產廠所提供的規(guī)格來輸入，而測量結果，亦必須在其所規(guī)定的限額內，否則，便為不良品。

大功率I g b t模塊測試系統(tǒng)簡介

我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統(tǒng)具備下列測試能力：

☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。

☆外接大電流擴展裝置，檢測范圍可擴展1600A。

產品主要有電力半導體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設備，電氣自動化設備，電冶、電化學裝置，電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅動板等。C：脈沖寬度50uS~300uS D：Vce測量精度2mV E：Vce測量范圍>。

9）尖峰抑制電容 用于防止關斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 11）動態(tài)測試續(xù)流二極管 用于防止測試過程中的過電壓。 ?反向電壓 8000V(2只串聯(lián)) ?-di/dt大于2000A/μs ?通態(tài)電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復時間小于2μs ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 12）安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯(lián)) ?-di/dt 大于2000A/μS ?01～50mA集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V。通態(tài)電流 1200A ?壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復時間 小于2μS ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%