光刻膠去除

半導(dǎo)體器件制造技術(shù)中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。

在現(xiàn)有技術(shù)中，去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于去膠機內(nèi)，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發(fā)生反應(yīng)，從而將光刻膠層去除。

而在一些半導(dǎo)體器件設(shè)計時，考慮到器件性能要求，需要對特定區(qū)域進(jìn)行離子注入，使其滿足各種器件不同功能的要求。顯影之后，NR9-3000PY展現(xiàn)出一種倒梯形側(cè)壁，這可以方便地作單純的LIFT-OFF處理。一部分閃存產(chǎn)品前段器件形成時，需要利用前面存儲單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層，在摻雜的過程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠外面形成一層堅硬的外殼。

這層堅硬的外殼可以采取兩種現(xiàn)有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產(chǎn)生光刻膠殘留；方法二，先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統(tǒng)的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費能源，而且降低了生產(chǎn)效率；同時，傳統(tǒng)的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時，光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內(nèi)部的熱量的散發(fā)，光刻膠內(nèi)部膨脹應(yīng)力增大，導(dǎo)致層多晶硅倒塌的現(xiàn)象。五、曝光在這一步中，將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進(jìn)行選擇性地照射。

NR77-15000P

9，去膠:濕法去膠，用溶劑、用NONG硫酸。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。負(fù)膠，98%H2SO4 H2O2 膠=CO CO2 H2O,正膠：BIN酮,干法去膠（ash）氧氣加熱去膠O2 膠=CO CO2 H2O,等離子去膠Oxygenplasma ashing,高頻電場O2---電離O- O ,  O 活性基與膠反應(yīng)CO2，CO， H2O, 光刻檢驗

NR77-25000P,RD8

 品牌

 產(chǎn)地

 型號

 厚度

 曝光

 應(yīng)用

 加工

 特性

 Futurrex

 美國

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

 用于i線曝光的負(fù)膠

 LEDOLED、

     顯示器、

 MEMS、

     封裝、

     生物芯片等

     金屬和介電

     質(zhì)上圖案化，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    組成

    （OLED顯示

     器上的間隔

     區(qū)）凸點、

     互連、空中

     連接微通道

     顯影時形成光刻膠倒

     梯形結(jié)構(gòu)

     厚度范圍：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h線曝光波長

     對生產(chǎn)效率的影響：

     金屬和介電質(zhì)圖案化

     時省去干法刻蝕加工

     不需要雙層膠技術(shù)

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 粘度增強

 NR9-1500PY

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 NR71G-1000PY

  負(fù)膠對  g、h線波長的靈敏度

 NR71G-1500PY

 NR71G-3000PY

 NR71G-6000PY

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 NR9G-6000PY

 耐熱溫度

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm