現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換.培訓后，應能達到用戶能基本完全獨立熟練操作單元進行功率半導體性能測試，并能解決實際工程問題。...等領域，使半導體開發(fā)技術人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術，持續(xù)在突破。

技術要求

3.1整體技術指標

3.1.1 功能與測試對象

*1）功能

GBT模塊動態(tài)參數(shù)測試。

*2）測試對象

被測器件IGBT模塊動態(tài)參數(shù)。測試溫度范圍 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標

測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國際標準IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數(shù)下進行。

14）工控機及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術參數(shù)要求如下：

?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內(nèi)存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術參數(shù)要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?狀態(tài)監(jiān)測：NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機：基于Labview人機界面

?數(shù)據(jù)提?。簻y試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式；所檢測數(shù)據(jù)可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機處理后可自動列表顯示相應測試數(shù)據(jù)；?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測部分內(nèi)容可擴展