華科智源IGBT測試儀針對 IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測試系統(tǒng)；自動化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動工作），計算機(jī)可以記錄測試結(jié)果，測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲，測試方法靈活（可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試），安全穩(wěn)定（對設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖），具有安全保護(hù)功能，測試速度方便快捷。IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)要求1、設(shè)備概述該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。

欲測知元件老化，所須提供的測量范圍為何？ 當(dāng)大功率元件在作導(dǎo)通參數(shù)的測試時，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測試時，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。三、華科智源IGBT測試儀系統(tǒng)特征： A：測量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣。當(dāng)這兩個參數(shù)通過后，便表示元件基本上良好，再進(jìn)一步作其他參數(shù)的測量，以分辨其中的優(yōu)劣。建議進(jìn)行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號

開通延遲時間 td(on) 關(guān)斷延遲時間 td(off)

上升時間 tr 下降時間 tf

開通時間 ton 關(guān)斷時間 toff

開通損耗 Eon 關(guān)斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

反向恢復(fù)電流 IRM 反向恢復(fù)電荷 Qrr

反向恢復(fù)時間 trr 反向恢復(fù)損耗 Erec

8）高壓大功率開關(guān)

?電流能力 200A

?隔離耐壓 10kV

?響應(yīng)時間 150ms

?脈沖電流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 氣動控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

9）尖峰抑制電容

用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。

?電容容量 200μF

?分布電感 小于10nH

?脈沖電流 200A

?工作濕度 <70%