離子屬刻蝕機(jī)的注意事項(xiàng)

創(chuàng)世威納——專(zhuān)業(yè)離子束刻蝕機(jī)供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

#.在設(shè)備工作時(shí),禁止扶、靠設(shè)備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發(fā)生意外

#.高頻電源實(shí)際使用功率不能超過(guò)較大限制#.檢查設(shè)備時(shí)，必須關(guān)機(jī)后切斷電源

#. 工作場(chǎng)地必須保持清潔、干燥，設(shè)備上及設(shè)備周?chē)坏梅胖脽o(wú)關(guān)物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長(zhǎng)期停放時(shí)注意防潮，拆除電源進(jìn)線，每隔3-5天開(kāi)一次機(jī)，保證反應(yīng)室真空以免被污 染

#.設(shè)備停機(jī)、過(guò)夜也要保持反應(yīng)室真空，如停機(jī)較長(zhǎng)時(shí)間后再進(jìn)行刻蝕工藝，需先進(jìn)行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

離子束刻蝕機(jī)

離子束刻蝕是通過(guò)物理濺射功能進(jìn)行加工的離子銑。國(guó)內(nèi)應(yīng)用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機(jī)通常由屏柵和加速柵組成離子光學(xué)系統(tǒng)，其工作臺(tái)可以方便地調(diào)整傾角，使碲鎘gong基片法線與離子束的入射方向成θ角，并繞自身的法線旋轉(zhuǎn)，如圖1所示。評(píng)價(jià)溝槽輪廓主要的參數(shù)有溝槽的開(kāi)口寬度We、溝槽的刻蝕深度H、臺(tái)面的坡度角φ和溝槽底部的寬度Wb。我們常用的深寬比（Aspectratio）是指槽深H和槽開(kāi)口寬度We的比值，本文中用R表示。深寬比是常用來(lái)作為衡量刻蝕工藝水平和刻蝕圖形好壞的評(píng)價(jià)參數(shù)。

離子源的主要參數(shù)有：①離子束流強(qiáng)。即能夠獲得的有用離子束的等效電流強(qiáng)度，用電流單位A或mA表示。②有用離子百分比。即有用離子束占總離子束的百分比。一般來(lái)說(shuō)，離子源給出的總離子束包括單電荷離子、多電荷離子、各種分子離子和雜質(zhì)元素離子等的離子束。③能散度。由于離子的熱運(yùn)動(dòng)和引出地點(diǎn)的不同，使得離子源給出的離子束的能量對(duì)要求的單一能量有一定離散，一般希望能散度盡量小，在的離子束應(yīng)用中尤其是這樣。④束的聚焦性能。以離子束的截面和張角表示。聚焦不好的離子束在傳輸過(guò)程中會(huì)使離子大量丟失。獲得良好聚焦特性的離子束的終障礙是束中離子之間的靜電排斥力，為了克服這一障礙，應(yīng)盡早使離子獲得較高能量。⑤離子源的效率。以離子束形式引出的工作物質(zhì)占總消耗的工作物質(zhì)的比例。⑥工作壽命。離子源一次安裝以后使用的時(shí)間。

離子束刻蝕

離子束刻蝕技術(shù)是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種微細(xì)加工技術(shù)，它利用反應(yīng)離子束轟擊團(tuán)體表面時(shí)發(fā)生的濺射效應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)剝離加工工作上的幾何圖形。具有極高的分辨率，能夠控制槽深和槽壁角度，表面應(yīng)力小。反應(yīng)離子束刻蝕技術(shù)已有效地用于研究和制造大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路，聲表面波器件，磁泡存儲(chǔ)器，微波器件，集成光路，超導(dǎo)器件，閃爍光柵等。