真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。

物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積的等離子化學氣相沉積等。

物理氣相沉積技術表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。 物理氣相沉積的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。發(fā)展到目前，物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。

真空鍍膜是在真空中將金屬或非金屬、氣體等材料利用濺射、蒸發(fā)或離子鍍等技術,形成薄膜的一種表面處理過程。真空鍍膜表面的清洗非常重要，直接影響電鍍產品的質量。在進入鍍膜室之前，工件須在電鍍前仔細清洗。真空鍍膜加工膜層牢固、致密性好、抗腐蝕性強，膜厚均勻。電路板鍍膜加工

在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。電路板鍍膜加工