MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片；其高抗沖擊性能尤為顯著，框架材質(zhì)為100％純銅材料，黑膠部分采用復(fù)合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型；采用臺(tái)灣健鼎的一體化測(cè)試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié).在品質(zhì)工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動(dòng)生產(chǎn)線設(shè)備,全程工藝由電腦控制，模具更為精密完全杜絕毛刺，外觀光滑自然美觀。

UL為美國(guó)安規(guī)認(rèn)證，是世界上安全試驗(yàn)和鑒定機(jī)構(gòu)整流橋

代表安全檢檢產(chǎn)品運(yùn)作良率是世界上安全試驗(yàn)和鑒定機(jī)構(gòu)

激光打標(biāo)，解決油墨絲印易掉色問題，黑膠材質(zhì)是采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料

我司技術(shù)力量雄厚，可協(xié)同用戶研發(fā)、設(shè)計(jì)新產(chǎn)品，并可提供現(xiàn)場(chǎng)指導(dǎo)。

“誠(chéng)信”是強(qiáng)元芯屹立于行業(yè)之本，未來(lái)，我們?nèi)詫∈亍罢\(chéng)信，專業(yè)，務(wù)實(shí)”的服務(wù)理念，不斷完 善創(chuàng)新，努力為客戶和公司同仁共創(chuàng)雙嬴。

編輯：DD

如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽(yáng)極金屬之間便形成肖特基勢(shì)壘，如圖所示。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極)時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要多做考慮。

另外，除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等。

接下來(lái)我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管、快恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關(guān)二極管的性能比較。

在頻率上，肖特基二極管大于超快恢復(fù)二極管大于快恢復(fù)二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關(guān)二極管；

在電流范圍上，肖特基二極管大于超快恢復(fù)二極管大于快恢復(fù)二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關(guān)二極管；

在耐壓限制范圍上，肖特基二極管小于超快恢復(fù)二極管小于快恢復(fù)二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開關(guān)二極管；

由表可見，硅高速開關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。