制取原料制造氮化硅磚的主要原料

氮化硅是一種構(gòu)造結(jié)構(gòu)陶瓷。它是一種硬化學(xué)物質(zhì)，自身具備潤濕性，而且抗磨損，為原子晶體；并且它還能抵御熱冷沖擊性，在空氣中加溫到1000℃之上，大幅度制冷再大幅度加溫，也不會(huì)。更是因?yàn)榈璐善骶邆涮攸c(diǎn)，大家經(jīng)常用它來生產(chǎn)制造滾動(dòng)軸承、機(jī)械設(shè)備密封圈等機(jī)械設(shè)備預(yù)制構(gòu)件。生產(chǎn)制造氮化硅磚的關(guān)鍵原料是煅燒鎂砂和鉻鐵礦。鎂砂原料的純凈度要盡量高，鉻鐵礦成分的規(guī)定為：Cr2O330～45%，CaO不超1.0～1.5%。氮化硅融合碳化硅磚就是指用SiC和Si為原料，經(jīng)滲氮燒制的防火產(chǎn)品。常壓燒結(jié)法（PLS)在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫?，利用Si3N4分解溫度升高（通常在N2=1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)壓燒結(jié)。其特性是以Si3N4為融合劑。Si3N4以纖維狀或纖維結(jié)晶體存有于SiC晶體中間，是一種關(guān)鍵的新式耐火保溫材料。一般含碳化硅70%～75%，氮化硅18%～25%。具備優(yōu)良耐腐蝕能力，1400℃抗折強(qiáng)度達(dá)50～55MPa，顯孔隙率15%。線膨脹系數(shù)(4.5～5.0)×10-2℃-1。

廢舊碳化硅和廢舊氮化硅有什么區(qū)別?

但是如果仔細(xì)看的情況下，廢舊碳化硅和廢舊氮化硅還是可以區(qū)分開的，一般氮化硅制品的顏色是灰白色，體積密度也比碳化硅制品的大。

區(qū)分廢舊碳化硅和廢舊氮化硅主要是為了合理的定價(jià)，無論是廢舊碳化硅還是廢舊氮化硅，我們?cè)诨厥盏臅r(shí)候，主要是看碳化硅的含量的，一般碳化硅的含量越高，我們的回收價(jià)格就越高，如果廢舊碳化硅制品的氧化程度比較高，那么碳化硅含量就很低了，回收價(jià)格也就會(huì)下降。S 它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形狀，在氮?dú)庵屑?200℃的高溫下進(jìn)行初步氮化，使其中一部分硅粉與氮反應(yīng)生成氮化硅，這時(shí)整個(gè)坯體已經(jīng)具有一定的強(qiáng)度。

常壓燒結(jié)法(PLS)在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫?利用Si3N4

常壓燒結(jié)法（ PLS)

在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫?，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進(jìn)Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強(qiáng)度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。2、氮化硅結(jié)合碳化硅制品的常溫強(qiáng)度高，在1200-1400℃高溫下，幾乎保持與常溫相同時(shí)間的強(qiáng)度和硬度。這種方法的缺點(diǎn)與熱壓燒結(jié)相似。

氣壓燒結(jié)法(GPS)獲得很大的進(jìn)展

氣壓燒結(jié)法（ GPS)

近幾年來,人們對(duì)氣壓燒結(jié)進(jìn)行了大量的研究，獲得了很大的進(jìn)展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進(jìn)行。氮化硅結(jié)合碳化硅磚是以高純SiC為骨料，添加硅粉等外加劑，依據(jù)原位生成理論，在氮化爐中燒制而成。高的氮?dú)鈮嚎刂屏说璧母邷胤纸狻Ｓ捎诓捎酶邷責(zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進(jìn)Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無論在實(shí)驗(yàn)室還是在生產(chǎn)上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強(qiáng)度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復(fù)雜形狀制品，從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費(fèi)用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。