氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導體材料,具有優(yōu)良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構,閃鋅礦結構(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);NaC結構;CsCl結構(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結構(六方結構,氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。

氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：晶體結構：六方；晶格常數(shù)：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔點：1975℃；熱膨脹系數(shù)：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；熱 容：0.125 cal /g.m；熱電常數(shù)：1200 mv/k @ 300 ℃；熱 導：0.006 cal/cm/k。目前,生長氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長高質量、大尺寸ZnO單晶體的zui有效的方法。

氧化鋅(ZnO) 是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發(fā)光材料．同時由于具有可見區(qū)透明，機電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質,氧化鋅（ZnO）是重要的工業(yè)原料在塑料和橡膠添加劑丶傳卮器丶發(fā)光顯示器件等領域有廣泛的應用。近幾年人們發(fā)現(xiàn)氧化鋅晶體在常溫下存在柴外受激發(fā)射有可能實現(xiàn)固體案外和藍光的激光發(fā)射,其獨特的發(fā)光性能也引人們極大地關注。

氧化鋅（ZnO）的帶邊發(fā)射在紫外區(qū)，非常適宜作為白光LED的激發(fā)光源材料，凸顯了氧化鋅（ZnO）在半導體照明工程中的重要地位，并且與SiC、GaN等其它的寬帶隙材料相比，氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：晶體結構：六方；晶格常數(shù)：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔點：1975℃；熱膨脹系數(shù)：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c。