碳納米管作為一維納米材料，重量輕，六邊形結(jié)構(gòu)連接，具有許多異常的力學(xué)、電學(xué)和化學(xué)性能。近些年隨著碳納米管及納米材料研究的深入其廣闊的應(yīng)用前景也不斷地展現(xiàn)出來。

碳納米管具有良好的傳熱性能， CNTs具有非常大的長徑比，因而其沿著長度方向的熱交換性能很高，相對(duì)的其垂直方向的熱交換性能較低，通過合適的取向，碳納米管可以合成高各向異性的熱傳導(dǎo)材料。另外，碳納米管有著較高的熱導(dǎo)率，只要在復(fù)合材料中摻雜微量的碳納米管 該復(fù)合材料的熱導(dǎo)率將會(huì)可能得到很大的改善。

ABS導(dǎo)電防靜電塑膠旨在保護(hù)關(guān)鍵電子元器件和機(jī)械設(shè)備免受靜電放電危害以及電磁和射頻干擾，同時(shí)還能保持ABS塑膠材料本身的基本性能。靜電放電經(jīng)常會(huì)損壞敏感電子元器件，擦除或改變磁介質(zhì)，甚至在環(huán)境中引發(fā)火災(zāi)或?？梢杂肁BS防靜電導(dǎo)電塑膠材料來控制靜電放電，防靜電導(dǎo)電ABS材料制造的成品可以在電荷積累到危險(xiǎn)程度之前就會(huì)消散產(chǎn)品表面電荷。

硅是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料。長期以來，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律，不斷縮小晶體管尺寸以提升其性能。而業(yè)界認(rèn)為，摩爾定律將在2020年左右達(dá)到終點(diǎn)，即硅材料晶體管的尺寸將無法再縮小，芯片的性能提升已經(jīng)接近其物理極限。在此背景下，人們一直在尋找能夠替代當(dāng)前硅芯片的材料，碳納米管就是主要的研究方向之一。美國斯坦福大學(xué)、IBM公司的研究人員都在致力于該領(lǐng)域的研究。國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖近年來多次引用團(tuán)隊(duì)的工作，來證明碳納米管是一個(gè)重要的出路。

氣相沉積法是指將兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)器中，使原料相互之間發(fā)生碰撞并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而制備一種新的材料，再將其沉積到基體表面上。氣相沉積法優(yōu)點(diǎn)是反應(yīng)速度快、沉積均勻等特性使之應(yīng)用越來越普遍，常常用來制備核殼材料。研究者利用氣化后的氧化硅與氧化碳反應(yīng)生成β－碳化硅，然后將其均勻沉積在碳納米管表面，且包覆均勻完整，對(duì)碳納米管實(shí)現(xiàn)表面功能化修飾。