光刻膠的分類

以下是賽米萊德為您一起分享的內容，賽米萊德專業(yè)生產光刻膠，歡迎新老客戶蒞臨。

硅片制造中，光刻膠的目的主要有兩個：（1）將掩模版圖形轉移到硅片表面頂層的光刻膠中；（2）在后續(xù)工藝中，保護下面的材料（例如刻蝕或離子注入阻擋層）。

分類

光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比結果示意圖 [2]  。

光刻膠的未來發(fā)展

以下內容由賽米萊德為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。

由于光刻膠的技術壁壘較高，國內光刻膠市場基本被國外企業(yè)壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠，基本被日本和美國企業(yè)占據。  

國內光刻膠生產商主要生產PCB光刻膠，面板光刻膠和半導體光刻膠生產規(guī)模相對較小。國內生產的光刻膠中，PCB光刻膠占比94%，LCD光刻膠和半導體光刻膠占比分別僅有3%和2%。

國內光刻膠需求量遠大于本土產量，且差額逐年擴大。由于國內光刻膠起步晚，目前技術水平相對落后，生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品，TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少，仍需大量進口，從而導致國內光刻膠需求量遠大于本土產量。

光刻膠的作用有什么？

光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線曝光后，光刻膠的化學性質發(fā)生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。

光刻膠相關知識

光刻開始于一種稱作光刻膠的感光性液體的應用。圖形能被映射到光刻膠上，然后用一個developer就能做出需要的模板圖案。光刻膠溶液通常被旋轉式滴入wafer。如圖2.5所示，wafer被裝到一個每分鐘能轉幾千轉的轉盤上。幾滴光刻膠溶液就被滴到旋轉中的wafer的中心，離心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻膠溶液黏著在wafer上形成一層均勻的薄膜。多余的溶液從旋轉中的wafer上被甩掉。薄膜在幾秒鐘之內就縮到它后期的厚度，溶劑很快就蒸發(fā)掉了，wafer上就留下了一薄層光刻膠。然后通過烘焙去掉后面剩下的溶劑并使光刻膠變硬以便后續(xù)處理。鍍過膜的wafer對特定波成的光線很敏感，特別是紫外（UV）線。相對來說他們仍舊對其他波長的，包括紅，橙和黃光不太敏感。所以大多數光刻車間有特殊的黃光系統(tǒng)。

想要了解更多光刻膠的相關內容，請及時關注賽米萊德網站。