光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過(guò)程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對(duì)提高圖形分辨率的影響也越來(lái)越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，F(xiàn)uturrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。發(fā)展Futurrex在開(kāi)發(fā)產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長(zhǎng)的歷史我們的客戶一直在同我們共同合作，創(chuàng)造出了很多強(qiáng)勢(shì)的專利產(chǎn)品。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。

光刻膠國(guó)內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國(guó)際水平差距的原因很多。過(guò)去由于我國(guó)在開(kāi)始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。這層堅(jiān)硬的外殼可以采取兩種現(xiàn)有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產(chǎn)生光刻膠殘留。目前，整個(gè)產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強(qiáng)，前后兩端弱，核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。

光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)有解析度、顯影時(shí)間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都很重要，必須全部指標(biāo)達(dá)到才能使用。因此，國(guó)外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對(duì)中國(guó)長(zhǎng)期保密。中國(guó)的研發(fā)技術(shù)有待進(jìn)一步發(fā)展

NR77-20000P

正膠PR1-2000A1技術(shù)資料

正膠PR1-2000A1是為曝光波長(zhǎng)為365 或者436納米，可用于晶圓步進(jìn)器、掃描投影對(duì)準(zhǔn)器、近程打印機(jī)和接觸式打印機(jī)等工具。PR1-2000A1可以滿足對(duì)附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時(shí)一般不需要增粘劑，如HMDS。

相對(duì)于其他的光刻膠，PR1-2000A1有如下的一些額外的優(yōu)勢(shì)：

PEB，不需要后烘的步驟；

較高的分別率；

快速顯影；

較強(qiáng)的線寬控制；

蝕刻后去膠效果好；

在室溫下有效期長(zhǎng)達(dá)2年。

發(fā)展

Futurrex在開(kāi)發(fā)產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長(zhǎng)的歷史

我們的客戶一直在同我們共同合作，創(chuàng)造出了很多強(qiáng)勢(shì)的專利產(chǎn)品。

在晶體管(transistor) ，封裝，微機(jī)電。顯示器，OLEDs，波導(dǎo)(waveguides) ，VCSELS，

成像，電鍍，納米碳管，微流體，芯片倒裝等方面。我們都已經(jīng)取得一系列的技術(shù)突破。

目前Futurrex有數(shù)百個(gè)專利技術(shù)在美國(guó)專利商標(biāo)局備案。

Futurrex 產(chǎn)品目錄

正性光刻膠

增強(qiáng)粘附性正性光刻膠

負(fù)性光刻膠

增強(qiáng)粘附性負(fù)性光刻膠

先進(jìn)工藝負(fù)性光刻膠

用于lift-off工藝的負(fù)性光刻膠

非光刻涂層

平坦化，保護(hù)、粘接涂層

氧化硅旋涂(spin-on glas)

摻雜層旋涂

輔助化學(xué)品

邊膠清洗液

顯影液

去膠液

Futurrex所有光刻產(chǎn)品均無(wú)需加增粘劑(HMDS)