蝕刻設(shè)備的維護(hù)

維護(hù)蝕刻設(shè)備的關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物, 使噴嘴能暢順地 噴射。1%--2%的純堿（碳酸鈉）溶液，30攝氏度，1--2分鐘↓蝕刻---噴漆---烤漆---除漆。 阻塞物或結(jié)渣會(huì)使噴射時(shí)產(chǎn)生壓力作用, 沖擊板面。 而噴嘴不清潔﹐則會(huì)造成蝕刻 不均勻而使整塊電路板報(bào)廢。明顯地﹐設(shè)備的維護(hù)就是更換破損件和磨損件﹐因噴嘴同樣存在著磨損的問題, 所以 更換時(shí)應(yīng)包括噴嘴。 此外﹐更為關(guān)鍵的問題是要保持蝕刻機(jī)沒有結(jié)渣﹐因很多時(shí)結(jié)渣堆積 過多會(huì)對(duì)蝕刻液的化學(xué)平衡產(chǎn)生影響。

同樣地﹐如果蝕刻液出現(xiàn)化學(xué)不平衡﹐結(jié)渣的情況 就會(huì)愈加嚴(yán)重。4精細(xì)網(wǎng)印徹底烘干選用硬度中偏低膠刮復(fù)墨網(wǎng)印，達(dá)到墨層厚而均勻，沒有斷線與眼，印完一色烘一色（100℃，10分鐘），最后一次印完在烘干150℃，1。 蝕刻液突然出現(xiàn)大量結(jié)渣時(shí)﹐通常是一個(gè)信號(hào)﹐表示溶液的平衡出現(xiàn)了問 題, 這時(shí)應(yīng)使用較強(qiáng)的鹽酸作適當(dāng)?shù)那鍧嵒驅(qū)θ芤哼M(jìn)行補(bǔ)加。 另外, 殘膜也會(huì)產(chǎn)生結(jié)渣物。 量的殘膜溶于蝕刻液中﹐形成銅鹽沈淀。這表示前 道去膜工序做得不徹底, 去膜不良往往是邊緣膜與過電鍍共同造成的結(jié)果。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進(jìn)行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個(gè)工序組成。發(fā)動(dòng)酸泵，讓三氯化鐵溶液在機(jī)器內(nèi)循環(huán)，調(diào)查溫度表高不能超過50度。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機(jī)均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計(jì) 圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ? 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負(fù)之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時(shí)，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過能力。

化學(xué)蝕刻（Chemical etching）-- 氣態(tài)物質(zhì)（中性原子團(tuán)）與表面反應(yīng)， 產(chǎn)物必定易揮發(fā)，也稱為等離子蝕刻。如光學(xué)性能、蝕刻性能、耐熱性能、加工形成性能、耐磨和耐刻畫性能、耐擦洗性能等。 等離子增強(qiáng)蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨(dú)使用中性原子團(tuán)不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物，具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物；具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層，這樣，化學(xué)反應(yīng)以后 能生成揮發(fā)性物質(zhì)，亦稱為反應(yīng)離子蝕刻（RIE） 。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機(jī)械的濺射襯底材料。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計(jì) 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。