35.傳導(dǎo)整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用 36.輻射整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，適合一些新手工程師，提供一個(gè)參考的方向，有些情況并不是能直接套用，的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機(jī)理。 37.關(guān)于PCB碰到的問(wèn)題，如圖，為什么99SE畫板覆銅填充的時(shí)候填不滿這個(gè)位置？像是有死銅一樣D1這個(gè)元件有個(gè)文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖 把它放到頂層絲印后，解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對(duì)傳導(dǎo)，線屏蔽主要針對(duì)輻射，當(dāng)傳導(dǎo)非常好的時(shí)候，有可能你的輻射會(huì)差，這個(gè)時(shí)候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽，盡量壓低30M下降的位置，這樣整改輻射會(huì)快很多。 EMI整改技巧之一 39.測(cè)試輻射的時(shí)候，多帶點(diǎn)不同品牌的MOS、肖特基。


圖一b（230Vac） 圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測(cè)試時(shí)，65M和83M位置有點(diǎn)頂線（紅色線）圖一b-1（230Vac） 原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來(lái)一點(diǎn)，后面還是有點(diǎn)高，如圖一b-1所示； 圖一b-2（230Vac） 變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2； 圖一b-3（115Vac） 115Vac輸入測(cè)試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火?。】磥?lái)這招不行； 圖一b-4（115Vac） 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯(cuò)，如圖一b-4所示。 圖一b-5（230Vac） 115Vac輸入測(cè)試，測(cè)試通過(guò)。結(jié)論：一：變壓器出線需做到不交叉；二：Y電容回路走線越短越好先經(jīng)過(guò)變壓器地再回到大電容地，不與其它信號(hào)線交叉；


在安規(guī)認(rèn)證，變壓器溫度超了2度左右時(shí)，可以用這個(gè)方法 57.跳線旁邊有高壓元件時(shí)，應(yīng)要保持安全距離，特別是容易活動(dòng)或歪斜的元件。 保證產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)的穩(wěn)定性 58.輸出大電解底部不得已要走跳線時(shí)，跳線應(yīng)是低壓或是地線，為防止過(guò)波峰焊電容，一般加套管。 設(shè)計(jì)的時(shí)候盡量避免電容底部走跳線，因?yàn)樵黾映杀竞碗[患 59.高頻開(kāi)關(guān)管平貼PCB時(shí)，PCB另一面不要放芯片等敏感器件。