（2）主要技術(shù)參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發(fā)射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測(cè)試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測(cè)量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會(huì)發(fā)生。所以對(duì)新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。 半導(dǎo)體元件的每一個(gè)參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個(gè)獨(dú)特的測(cè)量電路，我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個(gè)參數(shù)的定義，形成千變?nèi)f化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時(shí)間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測(cè)出來(lái)，且有些參數(shù)從量測(cè)的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運(yùn)算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。同一測(cè)試條件的器件的測(cè)試曲線可以在軟件內(nèi)進(jìn)行對(duì)比，新測(cè)曲線可以與原測(cè)曲線進(jìn)行對(duì)比。

3、系統(tǒng)基本參數(shù)

3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加熱功能：室溫～150℃；

3.3 測(cè)試功能：可測(cè)試IGBT模塊及FRD；

3.4 環(huán)境溫度：25℃±15℃；

3.5 環(huán)境濕度：50% ±20% （相對(duì)濕度）

4、動(dòng)態(tài)測(cè)試基本配置

4.1 集電級(jí)電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負(fù)載；

4.3 電流持續(xù)時(shí)間 It： 10 ~ 1000 us 單個(gè)脈沖或雙脈沖的總時(shí)間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；

4.5 單電流脈沖的設(shè)置： Vcc，Ic, 電感值（自動(dòng)計(jì)算脈寬）；

4.6 雙電流脈沖的設(shè)置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時(shí)間（10到50us）(脈寬自動(dòng)計(jì)算)；

（開(kāi)啟Qrr測(cè)試：第二個(gè)脈寬＝間隙時(shí)間，10~50us）；

4.7 設(shè)備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動(dòng)態(tài)測(cè)試）。