3、技術(shù)指標 * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA；IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)要求

1、設(shè)備概述

該設(shè)備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。

2、需提供設(shè)備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎(chǔ)圖、設(shè)備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統(tǒng)圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他必要的技術(shù)文件，設(shè)備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他必要的技術(shù)文件，所有資料必須準備（正本、副本）各一份，電子版一份；（正本、副本）技術(shù)資料，應(yīng)至少有一份采用中文，另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。數(shù)據(jù)提?。簻y試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式。

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；

5)震動：抗能力按7級設(shè)防，地面抗震動能力≤0.5g；

6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

安全工作區(qū)測試負載電感

?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）

?瞬態(tài)電壓 大于10kV

?負載電感 配備自動切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通；自動切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。

5）補充充電回路限流電感

限制充電回路中的di/dt。

?電感量 100μH

?電流能力 6000A （5ms）

?瞬時耐壓 10kV

?工作溫度室溫～40℃

?工作濕度 <70%