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磁控濺射鍍膜機服務(wù)至上,創(chuàng)世威納科技

發(fā)布時間:2020-10-31 04:50  

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磁控濺射鍍膜設(shè)備及技術(shù)

(專利技術(shù))該設(shè)備選用磁控濺射鍍一層薄薄的膜(MSP)技術(shù)性,是這種智能、率的鍍膜設(shè)備??梢罁?jù)客戶規(guī)定配備轉(zhuǎn)動磁控靶、單脈沖濺射靶、中頻孿生濺射靶、非均衡磁控濺射靶、霍耳等離子技術(shù)源、考夫曼離子源、直流電單脈沖累加式偏壓開關(guān)電源等,組態(tài)靈便、主要用途普遍,主要用于金屬材料或非金屬材料(塑膠、夾層玻璃、瓷器等)的鋼件鍍鋁、銅、鉻、鈦金板、銀及不銹鋼板等陶瓷膜或式陶瓷膜及滲金屬材料DLC膜,所鍍一層薄薄的膜層勻稱、高密度、粘合力強等特性,可普遍用以電器產(chǎn)品、時鐘、陶瓷藝術(shù)品、小玩具、大燈反光罩及其儀表設(shè)備等表層裝飾藝術(shù)鍍一層薄薄的膜及工磨具的作用鍍層。2離子轟擊滲擴技術(shù)性的特性(1)離子轟擊滲擴更快因為選用低溫等離子無心插柳,為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層,提升了結(jié)晶中缺點的相對密度,比傳統(tǒng)式的汽體滲擴技術(shù)性速率明顯增強。在一樣加工工藝標(biāo)準(zhǔn)下,滲層深度1在0.05二以內(nèi),比汽體滲擴提升1倍。在較高溫度下,1h就能達(dá)lmm厚。這一狀況是格洛夫(Grove)于1842年在試驗科學(xué)研究陰極浸蝕難題時,陰極原材料被轉(zhuǎn)移到真空管內(nèi)壁而發(fā)覺的。(2)對鋼件表層改..

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磁控濺射鍍膜機

目前認(rèn)為濺射現(xiàn)象是彈性碰撞的直接結(jié)果,濺射完全是動能的交換過程。當(dāng)正離子轟擊陰極靶,入射離子當(dāng)初撞擊靶表面上的原子時,產(chǎn)生彈性碰撞,它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子,該表面原子獲得動能再向靶內(nèi)部原子傳遞,經(jīng)過一系列的級聯(lián)碰撞過程,當(dāng)其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量,并且具有了克服表面勢壘(結(jié)合能)的能量,它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛,逸出靶面而成為濺射原子。運用直流電反應(yīng)濺射堆積高密度、無缺點絕緣層塑料薄膜特別是在是瓷器塑料薄膜基本上難以達(dá)到,緣故取決于堆積速率低、靶材非常容易出現(xiàn)電弧放電并造成構(gòu)造、構(gòu)成及特性產(chǎn)生更改。

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磁控濺射

(1)各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化硅減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

(2)裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機外殼,鼠標(biāo)等。

(3) 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機

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