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ASEMI實(shí)用案例，肖特基二極管的一個典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管 BJT 的開關(guān)電路里面，通過在 BJT 上連接 Shockley 二極管來箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開關(guān)速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數(shù)字 IC 的 TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。

常用肖特基二極管型號:

常用的有引線式肖特基二極管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型號，詳細(xì)的代表型號有

肖特基二極管 30CPQ140

30CPQ140

 肖特基二極管 30CPQ100

30CPQ100

 肖特基二極管 30CPQ090

30CPQ090

 肖特基二極管 30CPQ060

30CPQ060

 肖特基二極管 30CPQ045

30CPQ045

 肖特基二極管 MBRS260T3G

MBRS260T3G

 肖特基二極管 MBRS130T3G

MBRS130T3G

 肖特基二極管 MBRS320T3G

MBRS320T3G

 肖特基二極管 MBRS340T3G

MBRS340T3G

 肖特基二極管 MBRS140T3G

MBRS140T3G

 肖特基二極管 MBRS240LT3

MBRS240LT3

 肖特基二極管 MBRS230LT3

MBRS230LT3

 肖特基二極管 MBRS2040LT

MBRS2040LT

 肖特基二極管 MBR20100

MBR20100

 肖特基二極管 MBR3045

MBR3045

 肖特基二極管 MBR2545

MBR2545

 肖特基二極管 MBR2045

MBR2045

 肖特基二極管 MBR1545

MBR1545

 肖特基二極管 MBR1045

MBR1045

肖特基二極管 MBR745

MBR745

 肖特基二極管 MBR3100

MBR3100

 肖特基二極管 MBR360

MBR360

 肖特基二極管 DSC01232

DSC01232

 肖特基二極管 SB3040

SB3040

 肖特基二極管 IN5817

IN5817

 肖特基二極管 IN5819

IN5819

 肖特基二極管 IN5818

IN5818

 肖特基二極管 IN5822

IN5822

 肖特基二極管 HER107

HER107

 肖特基二極管 HER207

HER207

 肖特基二極管 HER307

HER307

 肖特基二極管 FR105

FR105

 肖特基二極管 FR2050

肖特基二極管

      優(yōu)點(diǎn)：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復(fù)時間極短:        可達(dá)5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點(diǎn)：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)

MURF1060CT 強(qiáng)元芯ASEMI核芯動力 快恢復(fù)實(shí)力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標(biāo)準(zhǔn)，將漏電流有5uA加嚴(yán)到2uA以內(nèi)；正向壓降Vf由1.0V加嚴(yán)到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進(jìn)口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。