原位聚合法

原位聚合法是將單體或可溶性預(yù)聚體在基材表面聚合形成導(dǎo)電聚合物膜，主要包括直接聚合法、溶液聚合吸附法、化學(xué)氣相沉積法、氣相沉積聚合法、液相沉降聚合法。該團(tuán)隊(duì)采用新型氧化劑，通過(guò)自抑制聚合法，獲得了高膜厚無(wú)氣孔PEDOT:DBSA-Te量子點(diǎn)復(fù)合熱電薄膜，相關(guān)成果相繼發(fā)表于NPGAsiaMaterials,2017,9,405。原位聚合法是一種極有前景的制作PEDOT對(duì)電極的方法，這種方法在制作其他PEDOT材料尤其是光學(xué)材料上得到了廣泛的應(yīng)用，一些xPEDOT薄膜對(duì)電極研究中的制膜均采用該方法。

?PEDOT:PSSHTL

PEDOT:PSS HTL在器件中主要起著收集和傳輸來(lái)自鈣鈦礦光吸收層的空穴的作用[6]。盡管PEDOT:PSS HTL具有透光率優(yōu)異和制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn), 但是依然存在兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題[7, 8, 9, 10, 11]有待進(jìn)一步解決。其一, PEDOT:PSS HTL的導(dǎo)電性能相對(duì)較弱, 在其內(nèi)部電荷無(wú)法地傳輸, 導(dǎo)致HTL和鈣鈦礦層界面處出現(xiàn)電荷累積, 加大了器件的漏電流[7]; 其二, PEDOT:PSS HTL表面缺少鈣鈦礦形核和生長(zhǎng)的有利位置以及存在鈣鈦礦溶液的潤(rùn)濕性問(wèn)題, 較難獲得晶粒尺寸大且覆蓋率高的鈣鈦礦層[8, 11]。為此, 研究人員嘗試引入添加劑對(duì)PEDOT:PSS HTL進(jìn)行修飾。進(jìn)一步的，上述方案中，所述的鈣鈦礦光敏層為CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI3-xClx、CH3NH3PbBr3、CsPbI3、CsPbI3-xClx、CsPbBr3中的一種。目前已有少量的添加劑用于PEDOT:PSS HTL, 如二甲j亞砜(DMSO)[7]、聚氧h乙烯(PEO)[9]、甲磺酸(MSA)[10]和氧化石墨(GO)[11], 這些添加劑解決上述兩個(gè)問(wèn)題的側(cè)重點(diǎn)有所不同。例如, DMSO主要是提升PEDOT:PSS HTL的導(dǎo)電性能, 其原因在于DMSO能弱化PEDOT分子鏈和PSS分子鏈之間的交互作用, 進(jìn)而促使PEDOT富集相的形成; GO主要是通過(guò)改善鈣鈦礦溶液在PEDOT:PSS HTL表面的潤(rùn)濕性, 達(dá)到降低鈣鈦礦非均勻形核能的目的。然而, 目前鮮有同時(shí)將兩種不同功能的添加劑用于修飾PEDOT:PSS HTL的報(bào)道。此外, 超級(jí)電容器和導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的研究表明, 具有獨(dú)特電學(xué)和機(jī)械性能的碳納米管(CNTs)能改進(jìn)PEDOT:PSS膜的導(dǎo)電性能[12, 13]。同樣值得借鑒的是Zhang等[14]的研究工作, 他們發(fā)現(xiàn)將CNTs摻入鈣鈦礦層能促進(jìn)晶粒的生長(zhǎng)。

PEDOT-顯示器的未來(lái)？

                                         —均質(zhì)處理PEDOT

　　PEDOT/PSS懸浮液在塑料或玻璃表面，可以形成透明的PEDOT/PSS導(dǎo)電膜，不僅加工處理方便，而且具有可見(jiàn)光透過(guò)率高，用量小，抗水解性能好，綠色環(huán)保（水基分散體）等優(yōu)點(diǎn)，使得PEDOT獲得了巨大的商業(yè)成功，在有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池材料，OLED材料，電致變色材料，透明電極材料等領(lǐng)域有廣闊應(yīng)用前景，在靜電屏蔽也有應(yīng)用。盡管強(qiáng)酸處理能顯著提高PEDOT:PSS薄膜的導(dǎo)電率，但大多數(shù)強(qiáng)酸處理易破壞塑料襯底，影響器件的機(jī)械柔性。

　　實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象：

　　1.隨著均質(zhì)壓力和次數(shù)的增加，樣品的顏色有一定程度的變淺

　　2.均質(zhì)前的沉淀物，均質(zhì)之后靜置后樣品狀態(tài)穩(wěn)定不沉淀

　　3.均質(zhì)處理后，樣品溫度會(huì)略微升高，此時(shí)在試管中的流動(dòng)狀態(tài)仍為液體。靜置后溫度降低，“粘壁”現(xiàn)象會(huì)較為明顯。