電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1 ．頻率

射頻 PECVD 系統(tǒng)大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 RF 功率通常會改善 SiN 膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2 時器件會造成嚴(yán)重的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學(xué)計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。

電池片常見異常情況處理方法

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四、 鋁珠：

鋁珠產(chǎn)生的根本原因是過燒，鋁的熔點(diǎn)是660℃，當(dāng)鋁受熱超過這一溫度時，鋁顆粒熔化形成了鋁珠。通常，燒結(jié)爐的設(shè)置溫度都遠(yuǎn)高于這一溫度，這里所說的660℃是指電池片表面實(shí)際感受的溫度，設(shè)置的溫度雖高，由于燒結(jié)爐帶速很快，鋁層實(shí)際感受到的溫度是遠(yuǎn)低于設(shè)置溫度的。

解決這一問題的辦法是降下燒結(jié)區(qū)溫度，或是加快燒結(jié)爐的帶速，減少熱量的給予。此法效果非常明顯，鋁珠可得到有效控制。另一方面過分降溫會損失電池片的電性能數(shù)據(jù)，那么降到什么程度呢，我們的經(jīng)驗(yàn)是，降溫到電池片背面手感略微粗糙即可。

五、 鋁刺：

1、 背場印刷表面不均勻:檢查刮條的平整度；

2、 燒結(jié)網(wǎng)帶不潔凈：清洗網(wǎng)帶或?qū)ν鼛нM(jìn)行打磨；

3、 燒結(jié)網(wǎng)帶抖動嚴(yán)重：由設(shè)備人員來調(diào)整網(wǎng)帶；

4、 燒結(jié)溫度過高：不影響電性能的情況下降下燒結(jié)溫度；

電池片流程

電池片流程

1、   車間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對硅片的來料檢測，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會厚薄不均，放片時需 180 度錯落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向，預(yù)防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會有粘度導(dǎo)致原硅片粘連，放置時需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對表面進(jìn)行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時間為兩小時，兩小時內(nèi)要及時送入下一工序。

擴(kuò)散制結(jié)： 太陽能電池需要一個大面積的 PN 結(jié)以實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)化， 而擴(kuò)散爐就是制造太陽能電池P-N 結(jié)的專用設(shè)備。擴(kuò)散用三氯氧磷為擴(kuò)散源。在 830 度的高溫下用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷離子，通過硅原子質(zhì)檢的空隙向硅片內(nèi)擴(kuò)散，形成 P-N 結(jié)。

石英舟一舟可放置 500 片， 擴(kuò)散面需跟制絨面在同一面上，擴(kuò)散為單面擴(kuò)散，工藝流程為 83 分鐘。

濕法刻蝕： 利用 HNO3 和 HF 的混合液體對擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕 , 去除邊緣的 N 型硅 , 使得硅片的上下表面相互絕緣。

需注意 : 刻蝕分為干濕兩法 ，目前采用濕法，刻蝕后需做親水性測試。

如何判斷親水性是否良好？

用純水滴在硅片上看硅片上的擴(kuò)散面積。機(jī)械臂流片需要返工因臭氧層丟失。

PEVCD:   鍍減反射膜可以有效降低光的反射 .

需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片，流程為 50 分鐘， 在此階段會發(fā)生色斑，色差等問題。

絲網(wǎng)印刷 ： 把帶有圖案的模版附著于絲網(wǎng)上進(jìn)行印刷   ， 通常絲網(wǎng)由尼龍、聚酯、絲綢或金屬網(wǎng)制作而成  ， 承印物直接放在帶有模版的絲網(wǎng)下面，漿料在刮刀的擠壓下穿過絲網(wǎng)間的網(wǎng)孔  ， 只有圖像部分能穿過，印刷到承印物上印刷流程為背電極——背電場——正電極。

需注意 ： 斷柵 問題會出現(xiàn)在此工藝段。也是電池片的后一大工藝段。