化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deition,簡稱CVD），也即化學(xué)氣相鍍或熱化學(xué)鍍或熱解鍍或燃?xì)忮?，屬于一種薄膜技術(shù)。常見的化學(xué)氣相沉積工藝包括常壓化學(xué)氣相沉積（NPCVD），低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學(xué)氣相沉積（APCVD）。

鍍膜機(jī)工藝在平板顯現(xiàn)器中的運(yùn)用一切各類平板顯現(xiàn)器都要用到各品種型的薄膜，并且簡直一切類型的平板顯現(xiàn)器材都需求運(yùn)用ITO膜，以滿意通明電器的請求。能夠毫不夸張的說：沒有薄膜技能就沒有平板顯現(xiàn)器材。

物理氣相沉積是真空條件下采用物理方法把欲涂覆物質(zhì)沉積在工件表面上形成膜的過程，通常稱為PVD法。在進(jìn)行PVD處理時，工件的加熱溫度一般都在600℃以下，這對于用高速鋼、合金模具加工鋼及其他鋼材制造的模具加工都具有重要意義。目前，常用的有三種物理氣相沉積方法，即真空蒸鍍、濺射鍍膜和離子鍍，其中，離子鍍在模具加工制造中的應(yīng)用較廣。發(fā)展到目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。

總之，化學(xué)氣相沉積就是，利用氣態(tài)物質(zhì)在固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)沉積物的過程。其過程如下：

（1）反應(yīng)氣體向工件表面擴(kuò)散并吸附。

（2）吸附于工件表面的各種物質(zhì)發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)。

（3）生成物質(zhì)點聚集成晶核并長大。

（4）表面化學(xué)反應(yīng)中產(chǎn)生的氣體產(chǎn)物脫離工件表面返回氣相。

（5）沉積層與基體的界面發(fā)生元素的相互擴(kuò)散，而形成鍍層。

CVD法是，將工件置于有氫氣保護(hù)的爐內(nèi)，加熱到800℃以上高溫，向爐內(nèi)通入反應(yīng)氣體，使之在爐內(nèi)熱解，化合成新的化合物沉積在工件表面。在模具的應(yīng)用中，其覆膜厚度一般為6-10μm。

物理氣相沉積（PVD）工藝已經(jīng)有100多年的歷史了，等離子輔助PVD大約在80年前就申請了專利。術(shù)語“物理氣相沉積”僅在60年代出現(xiàn)。當(dāng)時，需要通過發(fā)展眾所周知的技術(shù)來發(fā)展真空鍍膜工藝，例如濺射，真空，等離子體技術(shù)，磁場，氣體化學(xué)，熱蒸發(fā)，弓形和電源控制，如Powell的書中詳細(xì)描述的。在過去的30年中，等離子輔助PVD（PAPVD）被分為幾種不同的電源技術(shù)，例如直流（DC）二極管，三極管，射頻（RF），脈沖等離子體，離子束輔助涂層等。，該過程在基本理解上存在一些困難，因此引入了必要的更改以提供好處，例如從涂層到基材的出色附著力，結(jié)構(gòu)控制以及低溫下的材料沉積。