下游發(fā)展趨勢

光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻膠趨勢半導體光刻膠領域全球市場規(guī)模趨于穩(wěn)定，2017年全球市場約13。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的核心材料。2016年全球半導體用光刻膠及配套材料市場分別達到14.5億美元和19.1億美元，分別較2015年同比增長9.0%和8.0%。預計2017和2018年全球半導體用光刻膠市場將分別達到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進技術節(jié)點生產線的興建和多次曝光工藝的大量應用，193nm及其它先進光刻膠的需求量將快速增加

NR77-25000P,RD8

 品牌

 產地

 型號

 厚度

 曝光

 應用

 加工

 特性

 Futurrex

 美國

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

 用于i線曝光的負膠

 LEDOLED、

     顯示器、

 MEMS、

     封裝、

     生物芯片等

     金屬和介電

     質上圖案化，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    組成

    （OLED顯示

     器上的間隔

     區(qū)）凸點、

     互連、空中

     連接微通道

     顯影時形成光刻膠倒

     梯形結構

     厚度范圍：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h線曝光波長

     對生產效率的影響：

     金屬和介電質圖案化

     時省去干法刻蝕加工

     不需要雙層膠技術

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 粘度增強

 NR9-1500PY

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 NR71G-1000PY

  負膠對  g、h線波長的靈敏度

 NR71G-1500PY

 NR71G-3000PY

 NR71G-6000PY

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 NR9G-6000PY

 耐熱溫度

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm

光刻膠

光增感劑

是引發(fā)助劑，能吸收光能并轉移給光引發(fā)劑，或本身不吸收光能但協(xié)同參與光化學反應，起到提高引發(fā)效率的作用。

光致產酸劑

吸收光能生成酸性物質并使曝光區(qū)域發(fā)生酸解反應，用于化學增幅型光刻膠。

助劑

根據不同的用途添加的顏料、固化劑、分散劑等調節(jié)性能的添加劑。

主要技術參數

分辨率（resolution）

是指光刻膠可再現(xiàn)圖形的小尺寸。一般用關鍵尺寸來（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。