.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點在后級濾波電感前面更好。因為濾波電感前的波動更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開啟程度是一定的，因為12V的波動可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個光耦供電取樣點的選擇更有利于動態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。?！?2V繞組應(yīng)該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因為我們反饋采樣的是5V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對的來說是有一定參考價值的。

PCB尺寸過大時，印制線條長，阻抗增加，抗噪聲能力下降，成本也增加；過小則散熱不好，且鄰近線條易受干擾。電路板的形狀矩形，長寬比為3：2或4：3，位于電路板邊緣的元器件，離電路板邊緣一般不小于2mm。(2) 放置器件時要考慮以后的焊接，不要太密集.(3) 以每個功能電路的核心元件為中心，圍繞它來進行布局。元器件應(yīng)均勻、 整齊、緊湊地排列在PCB上，盡量減少和縮短各元器件之間的引線和連接, 去耦電容盡量靠近器件的VCC(4) 在高頻下工作的電路，要考慮元器件之間的分布參數(shù)。一般電路應(yīng)盡可能使元器件平行排列。這樣，不但美觀，而且裝焊容易，易于批量生產(chǎn)。


為了節(jié)約成本，公司并不讓我這樣做，因為套磁珠影響了成本，當(dāng)即NG掉此PCB布局，采用圖一a方式PCB關(guān)鍵布局走線。 變壓器繞法不變：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→NpPCB關(guān)鍵布局：Y電容地→變壓器地→大電容地注：變壓器內(nèi)部的初級出線及次級出線有交叉圖一a （115Vac） 圖一a可以看出，改變PCB布局后130M-200M已經(jīng)完全被衰減，但是30-130M沒有圖一效果好，可能變壓器出線無交叉好一些。仔細觀察，此IC具有抖頻功能，傳導(dǎo)部分頻段削掉了一些尖峰；


圖一b（230Vac） 圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測試時，65M和83M位置有點頂線（紅色線）圖一b-1（230Vac） 原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來一點，后面還是有點高，如圖一b-1所示； 圖一b-2（230Vac） 變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2； 圖一b-3（115Vac） 115Vac輸入測試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火??！看來這招不行； 圖一b-4（115Vac） 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯，如圖一b-4所示。 圖一b-5（230Vac） 115Vac輸入測試，測試通過。結(jié)論：一：變壓器出線需做到不交叉；二：Y電容回路走線越短越好先經(jīng)過變壓器地再回到大電容地，不與其它信號線交叉；