雙面研磨拋光機工作特點介紹

雙面研磨拋光機工作特點介紹 雙面研磨拋光機比單面研磨拋光機多一個功能便是可以實現(xiàn)正反面的研磨加工，其主要應用于不銹鋼、鋁合金、五金配件以及陶瓷、寶石首飾等行業(yè)領域。 雙面研磨拋光機的工作原理是通過將研磨工件放置研磨盤上，工件與研磨盤相對運轉摩擦達到研磨拋光的目的。在實際研磨加工中，雙面研磨拋光機配合高精度修面裝置，可以使工件的平面度達到0.002MM。 高精度的研磨工藝讓更多的廠家選擇雙面研磨拋光機完成表面處理，為企業(yè)減少了研磨時間和耗材成本。 --- 研磨機的應用行業(yè)有哪些 研磨機是平面研磨加工中主要的應用設備，采用PLC為控制核心，操作界面直觀、操作方便。在眾多要求高精度的行業(yè)中應用十分廣泛，都說研磨機的應用行業(yè)廣，到底涉及到哪些領域呢，下面就為大家具體總結了一番。 1、手機行業(yè) 研磨機在手機零件的應用是為認知的，像華為、小米、OPPO等品牌所應用的手機外殼、攝像頭、中框都是通過研磨加工而成。 2、五金行業(yè) 五金行業(yè)就不用多說了，很多五金配件都需要經(jīng)過平面研磨加工才能達到預期的效果。 3、LED寶藍石行業(yè) 研磨機可處理LED芯片、寶藍石襯底、基片以及外延片。 4、機械密封件 研磨機在研磨加工機械密封件方面可以研磨更高的精度，比如塑膠墊圈、金屬密封圈等都是研磨拋光后的制品。

研磨機提高平面研磨效率的技術指南

單面研磨機提高平面研磨效率的技術指南 近年科技的發(fā)展迅速，許多工業(yè)制造企業(yè)對半導體材料、金屬和非金屬材料平面精度上有更嚴格的要求；在單面研磨機進行平面研磨時可以從以下幾方面來提高其研磨效率： 1.采用游砂研磨。其原理是：研磨砂粒在工件與研磨盤之間自由滾動，在其過程中工件研磨面被砂粒每個鋒利的銳角刃口進行不斷的切割。當砂粒銳角刃口鈍化后，砂粒又在研磨壓力下被碾碎從而形成新的鋒利銳角刃口，繼而獲得良好的研磨性能。游砂研磨是連續(xù)添加研磨砂混合液的，當新的研磨砂粒不斷補充進來，研磨時產(chǎn)生的金屬屑和碾碎的細砂通過不斷的排出，如此研磨就能獲得的研磨效率了。 2.對研磨壓力的控制。對厚薄不等和平面度精度要求不同的工件，研削效率與研磨壓力在70到350克力的壓強范圍內(nèi)是成正比的。一般在選擇不同的壓力，工件越薄和平面度要求越高時，研磨機壓力則是要求越低。 3.研磨盤的性能與材質(zhì)選擇。研磨盤的材質(zhì)在過去的人們習慣地采用比研材料要軟的材質(zhì)，而如今，在選擇研磨盤材質(zhì)時更適合采用鑄鐵研磨銅質(zhì)硬材、鋁研磨銅材等耐磨性能好的，硬度高的合金，它所具備耐磨性能良好，磨損慢，研磨盤平面度保持時間長，被研工件平面度能得到保證，同時修盤時間少而研磨時間長，能提升其研磨工作的效率。鋼質(zhì)研磨盤組織結構緊密，研磨砂粒在其研磨面上能獲得自由滾動，研鈍后的砂粒容易被堅硬的研磨盤碾碎產(chǎn)和新的鋒刃，有助于提高研磨效率。 4.磨削效率與研磨線成正比。研磨線速越高其發(fā)熱量就越大，隨著熱量的增大，研磨盤的不平面容易影響工件的平面度，通過為了減少熱變形一般都會對鋼硬盤盤進行通水循環(huán)冷卻，研磨盤的研磨線速存在著一定值，如果在這個數(shù)值范圍內(nèi)再提高研磨盤的線速度則會降低單面研磨機研磨時的效率。

平面研磨機研磨加工的步驟流程介紹

平面研磨機研磨加工的步驟流程介紹 研磨利用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，通過研具與工件在一定壓力下的相對運動對加工表面進行的精整加工（如切削加工）。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料，加工的表面形狀有平面，內(nèi)、外圓柱面和圓錐面，凸、凹球面，螺紋，齒面及其他型面。加工精度可達IT5～IT01，表面粗糙度可達Ra0.63～0.01微米。平面研磨機廣泛用于LED藍寶石襯底、光學玻璃晶片、石英晶片、硅片、諸片、模具、導光板、光扦接頭等各種材料的單面研磨、拋光。下面是關于平面研磨機加工的具體流程。 1、利用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，通過研具與工件在一定壓力下的相對運動對加工表面進行的精整加工、研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料，加工的表面形狀有平面，內(nèi)、外圓柱面和圓錐面，凸、凹球面，螺紋，齒面及其它型面。加工精度可達IT5～01，表面粗糙度可達R0.63～0.01微米。 2、平面研磨機研磨方法一般可分為濕研、干研和半干研3類。①濕研：又稱敷砂研磨，把液態(tài)研磨劑連續(xù)加注或涂敷在研磨表面，磨料在工件與研具間不斷滑動和滾動，形成切削運動。②濕研一般用于粗研磨，所用微粉磨料粒度粗于W7。③干研：又稱嵌砂研磨，把磨料均勻在壓嵌在研具表面層中,研磨時只須在研具表面涂以少量的硬脂酸混合脂等輔助材料。 4、正確處理平面研磨機進行研磨的運動軌跡是提高研磨質(zhì)量的重要條件。在平面研磨中，一般要求：①工件相對研具的運動，要盡量保證工件上各點的研磨行程長度相近；②工件運動軌跡均勻地遍及整個研具表面，以利于研具均勻磨損；③運動軌跡的曲率變化要小，以保證工件運動平穩(wěn)；④工件上任一點的運動軌跡盡量避免過早出現(xiàn)周期性重復。為了減少切削熱，研磨一般在低壓低速條件下進行。粗研的壓力不超過0.3兆帕，精研壓力一般采用0.03～0.05兆帕。粗研速度一般為20～120米/分，精研速度一般取10～30米/分。

切割、研磨、拋光容易忽視的操作環(huán)節(jié)要注意了

切割、研磨、拋光容易忽視的操作環(huán)節(jié)要注意了 研磨拋光，切割前應對其定向，確定切割面，切割時首先將鋸片固定好，被切晶體材料固定好，切割速度選擇好，切割時不能不用切割液，它不僅能沖洗鋸片，而且還能減少由于切割發(fā)熱對晶體表面產(chǎn)生的損害，切割液還能沖刷切割區(qū)的晶體碎渣。 切割下來的晶片，要進入下一道工序研磨。首先要用測厚儀分類測量晶片的厚度進行分組，將厚度相近的晶片對稱粘在載料塊上。粘接前，要對晶片的周邊進行倒角處理。粘片時載料塊溫度不易太高，只要固定臘溶化即可，晶片擺放在載料塊的外圈，粘片要對稱，而且要把晶片下面的空氣排凈（用鐵塊壓實）。防止產(chǎn)生載料塊不轉和氣泡引發(fā)的碎片的現(xiàn)象。在研磨過程中適時測量減薄的厚度，直到工藝要求的公差尺寸為止。 使用研磨拋光機前要將設備清洗干凈，同時為保證磨盤的平整度，每次使用前都要進行研盤，研盤時將修整環(huán)和磨盤自磨，選用研磨液要與研磨晶片的研磨液相同的磨料進行，每次修盤時間10分鐘左右即可。只有這樣才能保證在研磨時晶片表面不受損傷，達到理想的研磨效果。 拋光前要檢查拋光布是否干凈，拋光布是否粘的平整，一定要干凈平整。進行拋光時，拋光液的流量不能小，要使拋光液在拋光布上充分飽和，一般拋光時間在一小時以上，期間不停機，因為停機，化學反應仍在進行，而機械摩擦停止，造成腐蝕速率大于機械摩擦速率，而使晶片表面出現(xiàn)小坑點。 設備的清洗非常重要，清洗是否干凈將直接影響磨、拋晶片的質(zhì)量。每次研磨或拋光后，都要認真將設備里外清洗干凈。