奧氏體化加熱和保溫，速冷至等溫溫度并保持恰當時間；出爐空冷。選擇奧氏體化溫度除與模具鋼有關外，還須根據技術要求和模具鋼的原始安排來調整。例如較高的奧氏體化溫度能夠構成層狀安排;較低的奧氏體化溫度簡單得到球化體。奧氏體化后模具鋼的等溫溫度應根據終所欲獲性能該鋼種奧氏體等溫改變確定例等溫溫度距A1越近所獲珠光體層片越粗（模具鋼硬度越低）；距A1越遠則珠光體層片越細（鋼硬度越高）。

退火爐是一種用于制作半導體器材的工藝，它包括加熱幾個半導體晶片以影響其電功用。熱處理是為不同的效能而規(guī)劃的。硅片可以加熱以激起摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶圓-基板界面，從而改動細密堆積的薄膜，恢復生長的薄膜，恢復注入的損處，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜轉移到硅片。退火爐分為電加熱爐、燃煤退火爐、燃油退火爐、退火爐和氣體退火爐，其間自備煤氣發(fā)生爐生產的氣體退火爐使用較為廣。

罩式退火爐具有結構新穎，爐溫亮光退火爐均勻、熱，能耗低，冷卻速度快，氣體耗量少，操作方便，自動化程度高等特色，該產品配上恰當的保護氣氛后，能使被處理的材料外表亮光，無氧化，并有效避免鋼材外表脫碳和銅材外表脫鋅等現象，它摒棄了傳統(tǒng)的酸洗工藝，降低了生產成本，該產品廣泛應用于黑色及有色金屬的帶材，線材，盤管的亮光退火及變壓器型芯，磁性材料部件消除應力的退火。