在印制電路工業(yè)的傳統(tǒng)知識里﹐特別是印制電路原料的供貨商們皆認同﹐并得經(jīng)驗證 實﹐氨性蝕刻液中的一價銅離子含量越低﹐反應速度就越快。 事實上﹐許多的氨性蝕刻液 產(chǎn)品都含有價銅離子的特殊配位基（一些復雜的溶劑）﹐其作用是降低一價銅離子（產(chǎn)品具 有高反應能力的技術秘訣）﹐可見一價銅離子的影響是不小的。 將一價銅由 5000ppm 降至 50ppm, 蝕刻速率即提高一倍以上。5g/l，陰極電流密度50～60a/dm2，溫度55～60℃。 由于在蝕刻反應的過程中會生成大量的一價銅離子, 而一價銅離子又總是與氨的絡合 基緊緊的結合在一起﹐所以要保持其含量近于零是十分困難的。

蝕刻過程中應注意的問題

1. 減少側蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù)

側蝕會產(chǎn)生突沿。 通常印制板在蝕刻液中的時間越長, 側蝕的情況越嚴重。 側蝕將嚴 重影響印制導線的精度﹐ 嚴重的側蝕將不可能制作精細導線。所以﹐采用無銅的添加液來漂洗板子(第二次噴淋操作的方法)﹐可大大地減少銅的排出量。 當側蝕和突沿降低時﹐蝕刻 系數(shù)就會升高﹐高蝕刻系數(shù)表示有保持細導線的能力﹐使蝕刻后的導線能接近原圖尺寸。 無論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過度時都會造成導線短路。

化學蝕刻（Chemical etching）-- 氣態(tài)物質（中性原子團）與表面反應， 產(chǎn)物必定易揮發(fā)，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨使用中性原子團不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物，具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物；具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層，這樣，化學反應以后 能生成揮發(fā)性物質，亦稱為反應離子蝕刻（RIE） 。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機械的濺射襯底材料。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。目前﹐無論使用何種蝕刻液﹐都必須使用高壓噴淋﹐而為了獲得較整齊的側邊線條和高質量的蝕刻效果﹐對噴嘴的結構和噴淋方式的選擇都必須更為嚴格。