測試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)技術要求1、設備概述該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。

大功率半導體器件為何有老化的問題？

任何產品都有設計使用壽命，同一種產品不同的使用環(huán)境和是否得到相應的維護，延長產品使用壽命和設備良好運行具有極為重要。功率元件由于經常有大電流往復的沖擊，對半導體結構均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。2測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2。

測試大功率元件應用范例說明？

2011年，我們在深圳地鐵運營公司前海車輛段大修車間，進行了實際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測試，其中一部份由于損毀嚴重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進入實質的參數(shù)量測，也有全新的IGBT，量測結果完全合乎出廠規(guī)格.對其測試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無法測試給機車在使用帶來的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問題。用戶能對舊品元件作篩選，留下可用元件，確實掌握設備運轉的可靠度。凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。

2.2反向恢復技術條件 測試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復時間)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向關斷能量損失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 測試條件： 1、正向電流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt測量范圍：200～10000A/us 3、反向關斷峰值電壓VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt測量范圍：100～10000V/us