IGBT的驅動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。兩個輸出端能直接驅動電機的正反向運動，它具有較大的電流驅動能力，每通道能通過750~800mA的持續(xù)電流，峰值電流能力可達1。

輸出特性與轉移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。74HC595并行輸出口有高電平和低電平輸出,TB62726與5026的引腳功能一樣，結構相似。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

用什么直流電機驅動芯片（二）

2 ML4428原理圖及功能實現

ML4428電機控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(BLDC)提供起動和調速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝，它的內部框圖如圖1所示〔1〕，ML4428使用鎖相環(huán)技術，從電機線圈檢測反電勢，確定換向次序；IGBT的控制、驅動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配,另外,在未采取適當的防靜電措施情況下,G—E斷不能開路。采用專門的反電勢檢測技術，可實現三相無刷直流換向且不受PWM噪聲及電機緩沖電路的影響；采用了檢查轉子位置并準確對電機加速的起動技術，確保起動時電機不會反轉并可縮短起動時間。

2.1 反電勢檢測信號的獲得

無位置傳感器無刷直流電動機的控制與有位置傳感器無刷直流電機控制的根本區(qū)別就是利用反電勢的波形尋找換向點。當永磁無刷直流電動機運轉時，各相繞組的反電動勢(EMF)與轉子位置密切相關。當正偏壓增大時IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負載短路時其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。由于各相繞組是交替導通工作的，在某相不導通的時刻，其反電動勢波形的某些特殊點，可代替轉子位置傳感器的功能，得到所需要的信息。

由于對于單相反電動勢波形圖，反電動勢過零點30°處對應繞組的換向信號，找出反電動勢過零點，即反電動勢檢測的任務〔2〕?；谶@一原理，在該芯片內設計了一個獨特的反電勢檢測電路(見圖2)，由于有了中點模擬電路，不需從電機三相繞組中引出中線

無線充電芯片組成

從結構上看，無線充電發(fā)射端芯片主要由驅動芯片、MOS芯片和主芯片三部分組成。單片機方案下，控制芯片、驅動芯片、運放全部獨立，外圍元件也相當多，總而言之，非常復雜，元器件太多。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。原材料品種繁多，生產試驗流程復雜，不利于產品的快速開發(fā)、生產和銷售。

即Systemonachip，它是指在一塊芯片上集成一個完整系統(tǒng)。當前對SoC方案的一些比較常見的定義是：SoC即主控制和驅動集成。但是也有聲音表示這種說法并不準確，主控、驅動、MOS完整集合才是真正的SoC。也可以內用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導通狀態(tài)，上升和下降時間在輻射容滿足要求的情況下，盡量的陡峭。以下是SoC的定義，暫且先以種表述為準。