ParyleneC和ParyleneN的薄膜擊穿電壓

Parylene的特征之一是它們可以形成極薄的膜層。ParyleneN薄膜和C薄膜的直流擊穿電壓被確定與高聚物厚度有肯定的關(guān)系。

Parylene是一種具有性能的敷形涂層材料，問世后首先在電子領(lǐng)域得到了應(yīng)用。1972年列入美軍標(biāo)46058C許可作為印刷電路板的敷形涂層材料，涂層厚度為0.0005-0.002英寸。

Parylene在磁芯上的應(yīng)用 　　　　

Parylene真空涂敷技術(shù)有優(yōu)異的電性能，介電性能和低的介質(zhì)損耗及高的介電強(qiáng)度。同時(shí)它還具有優(yōu)良的機(jī)械性能，高的機(jī)械強(qiáng)度和低的摩擦系數(shù)，它不僅能提供絕緣而且也能消除摩擦引起的繞線時(shí)對(duì)線的損傷。

Parylene涂層較薄且厚度均勻使繞線器件能保持大的繞線窗，并在棱角處有足夠的涂層厚度，使性能參數(shù)極大的提高。明顯優(yōu)于刷涂,浸涂,噴涂等其它涂敷技術(shù)。它的先進(jìn)性主要是氣相單體直接形成固體涂層而沒有液態(tài)的過程。涂層是從基材的表面向外?生長?，形成一個(gè)均勻厚度涂層，在1微米以下時(shí)也是無的。又由于Parylene涂層是在室溫下形成的，因此可以防止固化時(shí)由熱膨脹引起的應(yīng)力問題。

Parylene在微電子／微馬達(dá)上的應(yīng)用 　　　　

Parylene涂層不僅有優(yōu)異的介電性能、低的介質(zhì)損耗和高的介電強(qiáng)度，同時(shí)具有優(yōu)良的機(jī)械性能和耐輻射性能。Parylene如此高的介電強(qiáng)度主要?dú)w功于Parylene能形成連續(xù)無缺陷和無其它填充物的薄膜。

微電子、半導(dǎo)體：使用高純的Parylene作鈍化層和介質(zhì)層，能提供安全、穩(wěn)定的防護(hù)。傳感器和換能器：自動(dòng)化控制和惡劣環(huán)境下使用的傳感器、換能器， Parylene涂層防護(hù)可以提高環(huán)境適應(yīng)性和可靠性，涂層無，且具有防潮功能。各種傳感器傳感部件及彎曲管。適用于各種惡劣環(huán)境。

離子鍍：蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。這種技術(shù)是D.麥托克斯于1963年提出的。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。一種離子鍍系統(tǒng)將基片臺(tái)作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體（如）以產(chǎn)生輝光放電。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離。正離子被基片臺(tái)負(fù)電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子（約占蒸發(fā)料的95％）也沉積在基片或真空室壁表面。