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發(fā)布時間:2021-08-02 16:31  
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PLD450型脈沖激光鍍膜介紹
以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司為您一起分享的內(nèi)容,沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)脈沖激光沉積,歡迎新老客戶蒞臨。
技術(shù)指標:
極限真空度:≤6.7×10 Pa
恢復真空時間:從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
系統(tǒng)漏率:6. 7×10-7Pa.L/S;
真空室:Ф450球型真空室 ,
基片尺寸:可放置4″可實現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調(diào)?! ?
二維掃描機械平臺,執(zhí)行兩自由度掃描,控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶、靶自轉(zhuǎn)、樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃,
質(zhì)量流量控制器1路
烘烤溫度:150℃數(shù)顯自動熱偶控溫(高溫爐盤,數(shù)顯自動熱偶控溫可加熱到800℃)
脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹
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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置:
生長室,進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選,激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED,工作氣壓可達100Pa可預留法蘭,用于LEED,K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發(fā)生器,離子源,掩膜系統(tǒng)等。智能視窗不僅可準確監(jiān)視沉積過程中的靶材激光注入量(OTLF),而且可長時間保持激光束光路的清潔6。
脈沖激光沉積原理
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脈沖激光沉積原理:在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊,利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來,再沉積在不同的襯底上,從而形成薄膜。
常規(guī)沉積條件下的組合合成
脈沖激光沉積系統(tǒng)特點及優(yōu)勢:
可根據(jù)客戶需求定制產(chǎn)品,靈活性高,并提供專業(yè)的技術(shù)支持;靶臺可以安裝6個靶位,靶材更換靈活;樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用;進樣室可以存儲多個靶和樣品;交易過程無需繁瑣的進、出關(guān)手續(xù), 交貨期短,性價比高;
沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司擁有先進的技術(shù),我們都以質(zhì)量為本,信譽高,我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務。如果您對脈沖激光沉積感興趣,歡迎點擊左右兩側(cè)的在線客服,或撥打咨詢電話。