PLD450型脈沖激光鍍膜介紹

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技術指標：

極限真空度：≤6.7×10 Pa　　

恢復真空時間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　

系統(tǒng)漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　

真空室：Ф450球型真空室 ，　　

基片尺寸：可放置4″可實現(xiàn)公轉換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉，轉速5-60轉/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調。　　

二維掃描機械平臺，執(zhí)行兩自由度掃描,控制的內容主要有公轉換靶、靶自轉、樣品自轉、樣品控溫、激光束掃,

質量流量控制器1路　　

烘烤溫度：150℃數(shù)顯自動熱偶控溫（高溫爐盤，數(shù)顯自動熱偶控溫可加熱到800℃）

常規(guī)沉積條件下的組合合成

脈沖激光沉積系統(tǒng)特點及優(yōu)勢：

可根據(jù)客戶需求定制產品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術支持；靶臺可以安裝6個靶位，靶材更換靈活；樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；進樣室可以存儲多個靶和樣品；交易過程無需繁瑣的進、出關手續(xù), 交貨期短，性價比高；

沈陽鵬程真空技術有限責任公司擁有先進的技術，我們都以質量為本，信譽高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務。如果您對脈沖激光沉積感興趣，歡迎點擊左右兩側的在線客服，或撥打咨詢電話。

脈沖激光沉積簡介

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

【設備主要用途】

PLD450A型脈沖激光沉積設備采用PLD脈沖激光沉積技術，用于制備高溫超導薄膜、半導體膜、鐵電薄膜、硬質薄膜以及微電子和光電子用多元氧化物薄膜及異質結，也可用于制備氮、碳、硅化合物及各種有機—無機復合材料薄膜及金剛石薄膜等。

【設備優(yōu)點】

設備全程采用一鍵式操作抽氣，關機，程序自動化定時操作。避免了繁瑣的角閥，插板閥人工開啟。

【設備主要組成】

設備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉臺、激光入射轉靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計算機控制轉靶的旋轉、脈沖準分子激光器等組成