基于硅還是SiC的MOSFET通斷,都必須慎重考慮諸多相關(guān)細

無論是基于硅還是 SiC 的 MOSFET 通斷，都必須慎重考慮諸多相關(guān)細節(jié)：柵極驅(qū)動電壓、電流、壓擺率、瞬態(tài)特性、過沖、輸入電容、電感以及許多其他靜態(tài)和動態(tài)因素。柵極驅(qū)動器可用于連接控制處理器輸出的相對簡單的低電平信號與開關(guān)器件的柵極輸入。這種特殊電源轉(zhuǎn)換器的輸出與功率器件的負載要求相對應(yīng)。

對于半橋或全橋等常用配置下的一對開關(guān)器件，驅(qū)動器模塊還須確保和低端器件不會同時導(dǎo)通，即使只是瞬間，因為這會導(dǎo)致電源軌接地。此外，在某些功率器件應(yīng)用中，功率器件路徑中單條或兩條都必須與系統(tǒng)地進行電氣隔離，同時仍需為其提供相應(yīng)的性能。

硅穩(wěn)壓管并聯(lián)穩(wěn)壓電路元件選擇的第三步

對于并聯(lián)穩(wěn)壓電路而言，限流電阻R2是整個電路工作好壞的關(guān)鍵。R2選擇大，穩(wěn)壓效果較好，但功耗大(因為電阻功耗P=I2R)，同時要求輸入電壓增大，電源的效率就比較低。具體計算方法可參考硅穩(wěn)壓管并聯(lián)穩(wěn)壓電路元件選擇的第三步。整個電路的穩(wěn)定度需要根據(jù)實際電路的要求來確定，如果穩(wěn)定度不夠，可以適當(dāng)增加R1和UI，還可以選擇β值較大、漏電流較小的調(diào)整管。為保證穩(wěn)壓電源的效率，輸入電壓一般不要選擇過高，以不超過2 UI為宜。

隨著供電技術(shù)的飛速發(fā)展和產(chǎn)品應(yīng)用要求的不斷提高，大功率直流電源得到了廣泛的應(yīng)用。大功率直流電源是一種以單片機為核心，不需要切斷負載在線調(diào)節(jié)的連續(xù)可調(diào)直流電源。溫度：確定電源使用的環(huán)境溫度，選擇適合的開關(guān)電源模塊。大功率直流電源廠家一般給出的溫度是電源模塊的殼溫，如-25— 85度，那么85度表示電源外殼溫度可以達到85度，如果超過85度，電源就可能進入保護狀態(tài)或損壞。在選擇電源時一定要考慮自身的環(huán)境溫度和電源的工作效率，溫升就低，反之效率低溫升就高。