ParyleneC 在芳烴上一個(gè)氫被氯原子取代，具有非常低的水分子和腐蝕性氣體的透過(guò)率，沉積生長(zhǎng)速率也比N型快得多，是目前應(yīng)用廣、防護(hù)效果好的粉材。ParyleneD 在芳烴上二個(gè)氫被二個(gè)氯原子取代，具有阻燃性。在更高溫度下具有相對(duì)更好的物理及電性能，同時(shí)與N、和C型相比，具有更好的熱穩(wěn)定性。

ParyleneHT是苯環(huán)上的4個(gè)氫原子被氟取代，與C,N,D比較，其薄膜的介電強(qiáng)度高、介電常數(shù)低(即透波性能好)，熱穩(wěn)定性好。薄膜本身連續(xù)、致密、無(wú),短期耐溫可達(dá)450攝氏度，長(zhǎng)期耐溫可達(dá)350攝氏度,并具有強(qiáng)的抗紫外線能力，更適合作為高頻微波器件的防護(hù)材料。

Parylene N是一種很好的介電材料，具有特別很是低的介質(zhì)損耗、高絕緣強(qiáng)度以及不隨頻率轉(zhuǎn)變的介電常數(shù)。它是所有Paryleng中穿透能力的一種。

Parylene C是系列中第二個(gè)具有商業(yè)價(jià)值的成員。它由雷同的單體系方式成，只是將其中一個(gè)芳香烴氫原子用一個(gè)氯原子所庖代了。Paryleng C將的電性能，物理性能結(jié)合在一路，并且對(duì)于潮濕和其它腐蝕性氣體具有低滲透性。除了可以提供真正的無(wú)覆形隔離外，Paryleng C是涂敷緊張電路板的材料。

精密模具硬質(zhì)涂層設(shè)備真空鍍膜機(jī)是工業(yè)化生產(chǎn)理想設(shè)備。其大特點(diǎn)是能對(duì)各種金屬及非金屬進(jìn)行表面鍍膜，可鍍制Au、Cu、Al、Cr、Ni，不銹鋼等高溫、低溫耐蝕膜，裝飾保護(hù)膜，又可鍍制TiC等硬膜，在機(jī)械、輕工、電子、等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。膜層表面光滑致密，無(wú)公害，提高硬度、耐磨損、防腐蝕、美化裝飾，

可通過(guò)鹽霧測(cè)試、冷熱沖擊測(cè)試、酒精測(cè)試、人體行業(yè)測(cè)試、RCA測(cè)試、鉛筆硬度測(cè)試、折彎測(cè)試、百格測(cè)試等

該設(shè)備離化率高、成膜速率快、低溫等特性，可根據(jù)用戶要求設(shè)計(jì)制造非標(biāo)設(shè)備