四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼，干燥，通風的庫房內(nèi)，嚴禁曝曬，遠離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。

四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產(chǎn)生有毒氟化物。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩通入高濃氟氣，并通過加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應(yīng)繼續(xù)進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。溫室氣體，其造成溫室效應(yīng)的作用是二氧化碳的數(shù)千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定，而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。在全球范圍內(nèi)，高純度四氟化碳應(yīng)用于歐洲、亞太地區(qū)、北美、中東、非洲和南美洲等地區(qū)，受電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展程度不同影響，對于高純度四氟化碳的需求也不同，亞洲地區(qū)由于電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展落后，近幾年電子電器行業(yè)處于快速發(fā)展狀態(tài)，因此使得該地區(qū)的高純度四氟化碳消費量持續(xù)攀升。