湖北豐熱科技有限公司（原武漢離子熱處理研究所），專業(yè)制造輝光離子滲氮爐的高新技術(shù)企業(yè)；是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售安裝輝光離子滲氮爐，并為用戶提供成套的離子滲氮工藝技術(shù)服務(wù)。

雙極性脈沖中頻靶電源一般帶孿生靶或雙靶運(yùn)行。兩個(gè)靶的工作電壓極性相反同時(shí)又不斷互換極性，電壓極性為負(fù)時(shí)的磁控靶發(fā)生濺射，極性為正時(shí)的那個(gè)磁控靶不產(chǎn)生濺射。??由于陰陽極間電場(chǎng)正負(fù)極性來回變化，使電子路徑延長，與工作氣體碰撞次數(shù)增加，故單個(gè)磁控靶承載同樣功率(其它真空環(huán)境條件相同)時(shí)，選用雙極脈沖中頻靶電源比用純直流靶電源和脈沖直流中頻靶電源時(shí)，工作氣體的離化幾率和靶材的沉積速率均要高一些。??磁控靶陰極電壓極性為負(fù)時(shí)，其單脈沖氣體放電應(yīng)與直流氣體放電伏-安特性曲線異常輝光放電段及之前段的變化規(guī)律(趨勢(shì))相符。工件放人爐內(nèi)作為陰極，爐體作為陽極，再通人少量氨、氮或氮亞混合氣體，然后在兩極間施加一定電壓使氮電離，氮電離后即以髙速?zèng)_擊工件，離子的動(dòng)能轉(zhuǎn)化為熱能將工件加熱至滲氮溫度。??

在運(yùn)行的射頻輝光放電等離子體中，由于離子和電子遷移率的不同將導(dǎo)致陰極負(fù)偏壓的形成，在陰極表面建立一個(gè)直流負(fù)偏壓是進(jìn)行射頻濺射工藝的必要條件。兩個(gè)面積相等的電極置于射頻輝光放電等離子體中，不可能建立陰極靶表面的負(fù)偏壓，不可能產(chǎn)生濺射。

湖北豐熱科技有限公司（原武漢離子熱處理研究所），專業(yè)集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售安裝輝光離子滲氮爐，并為用戶提供成套的離子滲氮工藝技術(shù)服務(wù)。

輝光放電時(shí)，在兩個(gè)電極附近聚集了較多的異號(hào)空間電荷，因而形成明顯的電位降落，分別稱為陰極壓降和陽極壓降。陰極壓降又是電極間電位降落的主要成分，在正常輝光放電時(shí)，兩極間的電壓不隨電流變化，即具有穩(wěn)壓的特性。

Roth等人在實(shí)驗(yàn)室的一臺(tái)氣體放電等離子體實(shí)驗(yàn)裝置中實(shí)現(xiàn)了Ar、He和空氣的“APGD”。1993年Okazaki小組利用金屬絲網(wǎng)（絲直徑0.035mm，325目）電極為PET膜（介質(zhì)）、頻率為50Hz的電源，在1.5mm的氣體（亞氣、氮?dú)?、空氣）間隙中做了大量的實(shí)驗(yàn)，并宣稱實(shí)現(xiàn)了大氣壓輝光放電。由于離子氮化法不是依靠化學(xué)反應(yīng)作用，而是利用離子化了的含氮?dú)怏w進(jìn)行氮化處理，所以工作環(huán)境十分清潔而無需防止公害的特別沒備。