電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

外擴(kuò)散種類 

1.穩(wěn)定源外擴(kuò)散：在穩(wěn)態(tài)外擴(kuò)散的標(biāo)準(zhǔn)下，企業(yè)時(shí)間內(nèi)根據(jù)垂直平分外擴(kuò)散方位的企業(yè)總面積的外擴(kuò)散品質(zhì)與該橫截面處的濃度梯度正比。 

2.限制源外擴(kuò)散：在再遍布全過(guò)程中，外擴(kuò)散是在限制源的標(biāo)準(zhǔn)下進(jìn)有的，全部外擴(kuò)散全過(guò)程的殘?jiān)?，限制于外擴(kuò)散前積淀在硅片表層的無(wú)限薄層內(nèi)的殘?jiān)偖a(chǎn)量，沒(méi)有外地人殘?jiān)钛a(bǔ)即在硅片表層處的殘?jiān)飨鄬?duì)密度。 

生產(chǎn)車間應(yīng)用的是二步外擴(kuò)散：預(yù)淀積外擴(kuò)散。預(yù)擴(kuò)散是穩(wěn)定源外擴(kuò)散，關(guān)鍵是促使硅片表層汽體濃度值相同，維持整批方塊電阻是勻稱性。主外擴(kuò)散是限制源外擴(kuò)散，而且在主外擴(kuò)散后進(jìn)入大氮汽體，做為推動(dòng)汽體，增加PN結(jié)深度。

晶硅太陽(yáng)能電池板的制作過(guò)程

晶硅太陽(yáng)能光伏板的制做全過(guò)程 

3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)加工全過(guò)程中，根據(jù)有機(jī)化學(xué)浸蝕法也即把硅片放到鹽酸水溶液中侵泡，使其造成放熱反應(yīng)轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸，以除去外擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表層產(chǎn)生的一層層磷硅玻璃。在外擴(kuò)散全過(guò)程中，POCL3與O2反映轉(zhuǎn)化成P2O5淀積在硅片表層。P2O5與Si反映又轉(zhuǎn)化成SiO2和磷分子，那樣就在硅片表層產(chǎn)生一層層帶有磷原素的SiO2，稱作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機(jī)器設(shè)備通常由本身、清理槽、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)軟件、機(jī)械手臂、電氣系統(tǒng)和全自動(dòng)配酸系統(tǒng)軟件等一部分構(gòu)成，關(guān)鍵能源有鹽酸、N2、空氣壓縮、純凈水，熱排風(fēng)系統(tǒng)和污水。鹽酸可以融解sio2由于鹽酸與sio2反映轉(zhuǎn)化成容易揮發(fā)的四氟化硅汽體。若鹽酸過(guò)多，反映轉(zhuǎn)化成的四氟化硅會(huì)深化與鹽酸反映轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸。 

4、低溫等離子刻蝕因?yàn)樵谕鈹U(kuò)散全過(guò)程中，即便選用背對(duì)背外擴(kuò)散，硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴(kuò)散上磷。PN結(jié)的反面所搜集到的光生電子器件會(huì)順著邊沿外擴(kuò)散有磷的地區(qū)流進(jìn)PN結(jié)的反面，而導(dǎo)致短路故障。因而，務(wù)必對(duì)太陽(yáng)電池附近的夾雜硅開(kāi)展刻蝕，以除去充電電池邊沿的PN結(jié)。一般 選用低溫等離子刻蝕技術(shù)性進(jìn)行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下，反映汽體CF4的孕媽分子結(jié)構(gòu)在頻射輸出功率的激起下，造成電離并產(chǎn)生等離子技術(shù)。等離子技術(shù)是由感應(yīng)起電的電子器件和正離子構(gòu)成，反映波導(dǎo)管中的汽體在電子器件的碰撞下，除開(kāi)轉(zhuǎn)化成正離子外，還能消化吸收動(dòng)能并產(chǎn)生很多的特異性基團(tuán)。特異性反映基團(tuán)因?yàn)橥鈹U(kuò)散或是在靜電場(chǎng)功效下抵達(dá)SiO2表層，在那邊與被刻蝕原材料表層產(chǎn)生放熱反應(yīng)，并產(chǎn)生揮發(fā)物的反映反應(yīng)物擺脫被刻蝕化學(xué)物質(zhì)表層，被超濾裝置抽出來(lái)波導(dǎo)管。