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發(fā)布時(shí)間:2021-09-20 03:13  
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法法是將通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中,是裂解并在晶種上沉積,從而得到顆粒狀多晶硅。因制備方法不同,有日本Komatsu發(fā)明的硅化鎂法,其具體流程如圖2所示、美國(guó)Union Carbide發(fā)明的歧化法、美國(guó)MEMC采用的NaAlH4與SiF4反應(yīng)方法。
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得到高純度的多晶硅后,還要在單晶爐中熔煉成單晶硅,以后切片后供集成電路制造等用??梢杂糜诙O管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域,在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位。
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作為高科技產(chǎn)業(yè),利用硅礦開發(fā)多晶硅,產(chǎn)業(yè)耗能大,電力需求高。電價(jià)已成為中國(guó)大多數(shù)硅礦企業(yè)亟待突破的瓶頸之一。因此中國(guó)大力發(fā)展多晶硅產(chǎn)業(yè),亟需在條件成熟的地方制定電價(jià)優(yōu)惠政策,降低成本。由于需求增加快速,但供給成長(zhǎng)有限,預(yù)估多晶硅料源的供應(yīng)2007年將是嚴(yán)重缺乏的一年,預(yù)計(jì)到2009年,全世界多晶硅的年需求量將達(dá)到6.5萬(wàn)噸。其中,用于電子級(jí)多晶硅占55%左右,太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45%,隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展,預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過(guò)電子級(jí)多晶硅。在未來(lái)的3至5年間,也就是在中國(guó)的“十一五”期間,將是中國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的黃金時(shí)期。
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