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在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對應(yīng)的分能級上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導(dǎo)體向金屬擴散，從而使金屬帶上負(fù)電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導(dǎo)體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

ASEMI肖特基二極管與快恢復(fù)二極管有什么區(qū)別?

這是兩種工藝的芯片技術(shù)，勢壘工藝肖特基二極管頻率比平面硅片的快恢復(fù)二極管更高，TRR參數(shù)只幾nS,基本忽略，正向?qū)妷旱?，只零點幾伏（低自身功耗），但點壓不高，一般只能做到200V，現(xiàn)在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的參數(shù)需求可以詳詢ASEMI在線客服。

關(guān)于肖特基二極管的應(yīng)用，ASEMI總結(jié)出以下幾點：

肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復(fù)時間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。