市場(chǎng)規(guī)模

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定增長(zhǎng)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移。據(jù)WSTS和SIA統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2016年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為1659.0億美元，增速達(dá)9.2%，大于全球增長(zhǎng)速度（1.1%）。經(jīng)過(guò)2、3小時(shí)的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。2016年中國(guó)半導(dǎo)體制造用光刻膠市場(chǎng)規(guī)模為19.55億元，其配套材料市場(chǎng)規(guī)模為20.24億元。預(yù)計(jì)2017和2018年半導(dǎo)體制造用光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到19.76億元和23.15億元，其配套材料市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到22.64億元和29.36億元。在28nm生產(chǎn)線產(chǎn)能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場(chǎng)主流半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛，需求增長(zhǎng)持續(xù)性強(qiáng)。近些年來(lái)，全球半導(dǎo)體廠商在中國(guó)大陸投設(shè)多家工廠，如臺(tái)積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導(dǎo)體工廠的設(shè)立，也拉動(dòng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)需求增長(zhǎng)。

光刻工藝重要性二

光刻膠的曝光波長(zhǎng)由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動(dòng)。隨著曝光波長(zhǎng)的縮短，光刻膠所能達(dá)到的極限分辨率不斷提高，光刻得到的線路圖案精密度更佳，而對(duì)應(yīng)的光刻膠的價(jià)格也更高。

光刻光路的設(shè)計(jì)，有利于進(jìn)一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0.35發(fā)展到大于1。相關(guān)技術(shù)的發(fā)展也對(duì)光刻膠及其配套產(chǎn)品的性能要求變得愈發(fā)嚴(yán)格。

工藝系數(shù)從0.8變到0.4，其數(shù)值與光刻膠的產(chǎn)品質(zhì)量有關(guān)。結(jié)合雙掩膜和雙刻蝕等技術(shù)，現(xiàn)有光刻技術(shù)使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。

為了實(shí)現(xiàn)7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術(shù)遇到瓶頸，EUV(13.5nm)光刻技術(shù)呼之欲出，臺(tái)積電、三星也在相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)行布局。EUV光刻光路基于反射設(shè)計(jì)，不同于上一代的折射，其所需光刻膠主要以無(wú)機(jī)光刻膠為主，如金屬氧化物光刻膠。

在光刻膠的生產(chǎn)上，我國(guó)主要生產(chǎn)PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小， 2015年據(jù)統(tǒng)計(jì)我國(guó)光刻膠產(chǎn)量為9.75萬(wàn)噸，其中中低端PCB光刻膠產(chǎn)值占比為94.4%，半導(dǎo)體和LCD光刻膠分分別占比1.6%和2.7%，嚴(yán)重依賴進(jìn)口。顯示器，OLEDs，波導(dǎo)(waveguides)，VCSELS，成像，電鍍，納米碳管，微流體，芯片倒裝等方面。

縱觀全球市場(chǎng)，光刻膠專用化學(xué)品生產(chǎn)壁壘高，國(guó)產(chǎn)化需求強(qiáng)烈。 化學(xué)結(jié)構(gòu)特殊、保密性強(qiáng)、用量少、純度要求高、生產(chǎn)工藝復(fù)雜、品質(zhì)要求苛刻，生產(chǎn)、檢測(cè)、評(píng)價(jià)設(shè)備投資大，技術(shù)需要長(zhǎng)期積累。

至今光刻膠專用化學(xué)品仍主要被被日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國(guó)杜邦、美國(guó)futurrex、德國(guó)巴斯夫等化工寡頭壟斷。

NR77-25000PNR9 1500P光刻膠報(bào)價(jià)

(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內(nèi)的金屬含量、膠的可應(yīng)用范圍、膠的儲(chǔ)存有效期和膠的燃點(diǎn)。