電子元器件產(chǎn)業(yè)三年內(nèi)要有大變化

著眼于推進我國基礎電子元器件產(chǎn)業(yè)基礎化與產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化，1月29日，印發(fā)《基礎電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2021-2023年）》（下文簡稱《行動計劃》）。

該“三年行動計劃”將技術前沿、前景廣闊、牽引性強的智能終端、5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、新
能源汽車等關鍵市場著重圈出。

“無器件，不產(chǎn)品”，不需要電子元器件的場景已不存在。

就像建房要用到一磚一瓦，電子元器件隱身于整機產(chǎn)品中，已滲透至國民經(jīng)濟各角落和社會生活各方面，廣泛應用于智能終端、汽車電子、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)以及航空航天、能源交通、軍事裝備等領域，成為支撐信息技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，保障產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈安全穩(wěn)定的關鍵。

量大面廣的電子元器件如同現(xiàn)代工業(yè)的糧食，電子信息技術強國均予以高度重視。

《行動計劃》設立的總體目標為，“到2023年，競爭力進一步增強，產(chǎn)業(yè)鏈安全供應水平顯著提升，重要行業(yè)的基礎電子元器件產(chǎn)品實現(xiàn)突破，配套供應鏈基本健全”。

中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院副院長黃子河介紹，針對產(chǎn)業(yè)規(guī)模、技術創(chuàng)新、企業(yè)發(fā)展三個方向，《行動計劃》提出了具體目標。分別為，爭取到2023年，電子元器件行業(yè)銷售總額達到2.1萬億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，進一步鞏固我國的電子元器件大國地位；關鍵產(chǎn)品技術取得突破，爭取在射頻濾波器、高速連接器、多層陶瓷電容器等產(chǎn)品領域技術取得重大進展，布局更加完善；培育一批大型企業(yè)，爭取銷售規(guī)模達到百億元的企業(yè)數(shù)量達到15家以上，涌現(xiàn)出一批專精特新“小巨人”企業(yè)和制造業(yè)單項企業(yè)。

《行動計劃》指向重大產(chǎn)業(yè)發(fā)展急需、應用前景較為明朗、有望取得階段性突破的若干重點電子元器件產(chǎn)品。特別針對智能終端市場、5G、新能源汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車市場等技術前沿、前景廣闊、牽引性強的領域。

談論熱門的太赫茲芯片

在太赫茲芯片相關的基礎設施方面，與太赫茲技術相關的芯片通常采用成熟的工藝，比如今年 ISSCC的八篇，全部采用28 nm和以前的工藝(大部分采用65 nm工藝)，這是因為先進工藝的器件特性對于太赫茲技術來說并不是很大。他說：“我們預計，未來太赫茲芯片的芯片工藝將逐漸向28 nm轉(zhuǎn)移，但不能使用16 nm以下。其結果是，中國的太赫茲芯片不受半導體工藝的限制。

但在半導體工藝之外，中國在太赫茲芯片領域的基礎設施在 EDA領域落后。目前太赫茲 EDA主要利用 Ansys的 HFSS做無源器件(以及波導)模擬，同時將電路級有源器件的常用模擬 Cadence的 SpectreRF集成起來。這方面，中國的 EDA技術與世界水平相比還有不少差距。

在太赫茲芯片設計領域，中科院上海微系統(tǒng)所、中電38所、50所等科研機構都有相關投入。另外，在太赫茲芯片商用化領域，一些中國的創(chuàng)業(yè)公司也正在努力。舉例來說，以太赫茲安檢成像技術為主導的新公司微度芯創(chuàng)公司，已有80 GHz雷達芯片量產(chǎn)，160 GHz雷達芯片已完成驗證，240 GHz雷達芯片正在設計中，預計在未來幾年內(nèi)其產(chǎn)品將會進入下一代基于太赫茲成像的高通量安檢產(chǎn)品，值得我們期待。當太赫茲技術進一步成熟時，我們相信中國的相關芯片領域也會越來越多。這個領域并非完全陌生，很多設計技巧和毫米波電路和系統(tǒng)都可以說是一脈相承的，除此之外，中國還有很大的安全檢測市場，所以我們認為中國在未來太赫茲芯片設計領域?qū)澜绲某绷鳌?

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