KOAN 壓控晶振相位噪聲的形成因素主要三方面

A.近端相噪主要是晶體 Q 值來決定。高頻晶體有很高的近載波相位噪聲（Close-inPhase Noise）, 因為他們有低的 Q 值和更寬的邊帶；

B 中端相噪主要是晶體外圍電路(包括 IC)來決定；

C 遠端相噪主要是信號輸出(白噪聲)來決定。

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壓控振蕩器的類型介紹

壓控振蕩器的類型有LC壓控振蕩器、RC壓控振蕩器和晶體壓控振蕩器。對壓控振蕩器的技術要求主要有：頻率穩(wěn)定度好、控制靈敏度高、調(diào)頻范圍寬、頻偏與控制電壓成線性關系并宜于集成等。晶體壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度高，但調(diào)頻范圍窄；RC壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度低而調(diào)頻范圍寬，LC壓控振蕩器居二者之間。

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壓控振蕩器

壓控振蕩器(VCXO)是通過調(diào)整控制端電壓改變輸出頻率。一般頻率調(diào)整范圍為±50~±200ppm。VCXO廣泛應用于電子儀器和通信系統(tǒng)設備中；高頻LVDS輸出應用于高速傳輸網(wǎng)絡。KOAN-VCXO系列中已推出高頻低相噪抖動的LVDS輸出壓控晶振，小于0.6pS (12K~20M)。同時部分產(chǎn)品可現(xiàn)場編程燒錄，型號為KV32D/KV70D。

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