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真空鍍膜之多弧離子鍍 ：

電弧電流一般為幾安至幾百安,工作電壓為10-25V,這時陰極表面的全部電流集中在一個或多個很小的部位 , 形成明亮的陰極弧斑 , 陰極弧斑的直徑為0.01-100um, 并以高達100m/s的速度在陰極靶表面隨機運動 , 也可以利用磁場控制陰極弧斑的運動。在陰極弧斑的前方是高密度的金屬等離子體, 由于電子向陽極快速移動而使陰極斑點前方出現離子堆積即形成正空間電荷 , 從而在陰極附近形成極強的電場, 導致場電子發(fā)射以維持弧光放電。比如含有j基（Me化學式-CH3)的化合物，因成分中含有碳氫基團，都屬于有機類物質。

物理l氣相沉積（真空鍍膜）基本方法 ：

1、從沉積粒子能量（中性原子）來看，真空蒸鍍?yōu)?.1-1eV，濺射為1-10eV，離子鍍?yōu)?.1-1eV（此外還有高能中性原子）。

2、從沉積速率來看，真空蒸鍍?yōu)?.1-70μm/min，濺射為0.01-0.05μm/min(磁控濺射接近于真空蒸鍍)，離子鍍?yōu)?.1-50μm/min。

物理q相沉積法真空鍍膜技術（由于這種方法基本上都是處于真空環(huán)境下進行的，因此稱它們?yōu)檎婵斟兡ぜ夹g）。真空鍍膜技術是一種新穎的材料合成與加工的新技術，是表面工程技術領域的重要組成部分。

真空鍍膜技術是使置待鍍金屬和被鍍塑料制品位于真空室內，采用一定方法加熱待鍍材料，使金屬蒸發(fā)或升華，金屬蒸汽遇到冷的塑料制品表面凝聚成金屬薄膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。