ITO真空鍍膜設備生產特點

1)真空室體資料選用SUS304，真空室內壁進行拋光處理，外壁選用拋光后噴珠處理。

2)真空室之間選用獨立門閥-插板閥隔開，能夠完成有用隔斷，安穩(wěn)技能氣體?，F在咱們至成真空科技選用插板閥規(guī)劃，它比現在國內通用的翻板閥密封作用非常好，更經用。

3)傳動選用磁導向，確保傳動的安穩(wěn)性。整條出產線的各段速度選用變頻調速電機驅動，運轉速度可調理。

4)真空電鍍設備電氣操控體系：觸摸屏與PLC自動操控，人機對話辦法來完成體系的數據顯現、操作與操控

真空鍍膜機磁控濺射主要工藝流程：

1、基片清洗，主要是用蒸汽清洗，隨后用乙醇浸泡基片后快速烘干，以去除表面油污；

2、抽真空，真空須控制在2×104Pa以上，以保證薄膜的純度；

3、加熱，為了除去基片表面水分，提高膜與基片的結合力，需要對基片進行加熱，溫度一般選擇在150℃~200℃之間；

4、Ar氣分壓，一般選擇在0.01~1Pa范圍內，以滿足輝光放電的氣壓條件；

5、預濺射，預濺射是通過離子轟擊以除去靶材表面氧化膜，以免影響薄膜質量；

6、濺射，Ar氣電離后形成的正離子在正交的磁場和電場的作用下，高速轟擊靶材，使濺射出的靶材粒子到達基片表面沉積成膜；

7、退火，薄膜與基片的熱膨脹系數有差異，結合力小，退火時薄膜與基片原子相互擴散可以有效提高粘著力。

真空鍍膜機磁控濺射鍍膜的特點：薄膜純度高，致密，厚度均勻可控制，工藝重復性比較好，附著力強。

依據濺射源的不同，真空鍍膜機磁控濺射有直流和射頻之分，兩者的主要區(qū)別在于氣體放電方式不同，真空鍍膜機射頻磁控濺射利用的是射頻放電，陶瓷產品使用的是射頻磁控濺射鍍。

多弧濺射在靶材上施小電壓大電流的作用

多弧濺射在靶材上施小電壓大電流使材料離子化（帶正電顆粒），從而高速擊向基片(負電)并沉積，形成致密膜堅硬膜。主要用于耐磨耐蝕膜。中頻濺射的原理跟一般的直流濺射是相同的,不同的是直流濺射把筒體當陽極,而中頻濺射是成對的,筒體是否參加必須視整體設計而定,與整個系統(tǒng)濺射過程中,陽極陰極的安排有關,參與的比率周期有很多方法,不同的方法可得到不相同的濺射產額,得到不相同的離子密度中頻濺射主要技術在于電源的設計與應用,目前較成熟的是正弦波與脈沖方波二種方式輸出,各有其優(yōu)缺點,首先應考慮膜層種類,分析哪種電源輸出方式適合哪種膜層,可以用電源特性來得到想要的膜層效果.中頻濺射也是磁控濺射的一種,一般真空鍍膜機磁控濺射靶的設計,磁場的設計是各家技術的重點,國際幾個有名的濺射靶制造商,對靶磁場的設計相當專業(yè),改變磁場設計能得到不相同的等離子體蒸發(fā)量.電子的路徑,等離子體的分布.關于陰極?。ㄒ簿褪请x子鍍），磁控濺射，以及坩堝蒸發(fā)都屬于PVD（物理氣相沉積），坩堝蒸發(fā)主要是相變，蒸發(fā)靶材只有幾個電子伏特的能量。