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在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對(duì)應(yīng)的分能級(jí)上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會(huì)從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散，從而使金屬帶上負(fù)電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個(gè)薄層之內(nèi)。而對(duì)于N型半導(dǎo)體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

肖特基(Schottky)二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD)，它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。

ASEMI為您專業(yè)提供肖特基二極管參數(shù)選型測(cè)試，以上為ASEMI外觀包裝樣式。產(chǎn)品一般為管裝，激光打標(biāo)，采用環(huán)保進(jìn)口牛皮紙材料紙箱，品質(zhì)優(yōu)越

ASEMI肖特基二極管參數(shù)的研發(fā)拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是專門為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設(shè)計(jì)的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD，起始電壓比業(yè)界居先進(jìn)水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V)，導(dǎo)通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ)，導(dǎo)通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。

肖特基二極管屬于低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間可小到幾納秒，正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安。

　　肖特基二極管與PN結(jié)二極管在構(gòu)造原理上有一定區(qū)別。這種管子的缺點(diǎn)是反向耐壓較低，一般不超過100V，適宜在低電壓、大電流的條件下工作。液晶彩電DC-DC變換器中的二極管一般采用的就是肖特基二極管。

　　需要說明的是，很多肖特基二極管和快恢復(fù)二極管有三只引腳，外形酷似晶體管。其實(shí)，這是一種內(nèi)含兩個(gè)肖特基二極管的復(fù)合二極管，其中一只腳為公共正極，另兩只腳分別為兩只二極管的負(fù)極，可用萬用表方便地進(jìn)行判斷，